EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 最新資訊
歐洲半導(dǎo)體輻射探測(cè)器市場(chǎng)研究報(bào)告(2025 年)
- 半導(dǎo)體輻射探測(cè)器市場(chǎng)正在經(jīng)歷強(qiáng)勁增長(zhǎng),這是由于醫(yī)療保健、安全、工業(yè)檢測(cè)和科學(xué)研究等不同領(lǐng)域的需求不斷增長(zhǎng)。這些探測(cè)器利用半導(dǎo)體材料的獨(dú)特特性,提供高效和準(zhǔn)確的輻射檢測(cè)能力。推動(dòng)這一增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力包括導(dǎo)致探測(cè)器靈敏度和分辨率提高的技術(shù)進(jìn)步、需要先進(jìn)檢測(cè)系統(tǒng)的嚴(yán)格安全和安保監(jiān)管要求,以及在醫(yī)療診斷和治療中越來(lái)越多地采用基于輻射的技術(shù)。此外,各行各業(yè)對(duì)核安全和核安保的日益關(guān)注以及政府促進(jìn)輻射檢測(cè)技術(shù)研發(fā)的舉措為市場(chǎng)擴(kuò)張做出了重大貢獻(xiàn)。市場(chǎng)在應(yīng)對(duì)全球挑戰(zhàn)方面的作用體現(xiàn)在其在防止核恐怖主義、加強(qiáng)早期疾病檢測(cè)的醫(yī)學(xué)
- 關(guān)鍵字: 歐洲 半導(dǎo)體 輻射探測(cè)器 市場(chǎng)研究報(bào)告
GenAI的驚人速度正在重塑半導(dǎo)體行業(yè)
- 人類正在目睹一場(chǎng)如此極端的技術(shù)革命,其全部規(guī)模可能超出我們的智力范圍。生成式 AI (GenAI) 的性能每六個(gè)月翻一番 [1],超過(guò)了業(yè)界所說(shuō)的超級(jí)摩爾定律的摩爾定律。一些云 AI 芯片制造商預(yù)計(jì)未來(lái)十年每年的性能將翻倍或翻三倍 [2]。在這個(gè)由三部分組成的博客系列中,我們將探討當(dāng)今的半導(dǎo)體格局和創(chuàng)新芯片制造商戰(zhàn)略,在第二部分深入探討未來(lái)的重大挑戰(zhàn),并在第三部分通過(guò)研究推動(dòng) AI 未來(lái)的新興變化和技術(shù)來(lái)結(jié)束。按照這種爆炸性的速度,專家預(yù)測(cè)通用人工智能 (AGI) 將在 2030 年左右實(shí)現(xiàn) [3][4]
- 關(guān)鍵字: GenAI 半導(dǎo)體 SoC
印度的高科技飛躍:引領(lǐng)半導(dǎo)體浪潮
- 印度正在將自己定位為全球半導(dǎo)體制造中心,這一愿景得到了蓬勃發(fā)展的電子行業(yè)、關(guān)鍵政府舉措以及人工智能 (AI)、生成式人工智能 (Gen AI)、5G 和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 等新技術(shù)的日益采用的支持。根據(jù)印度電子和半導(dǎo)體協(xié)會(huì) (IESA) 的一份報(bào)告,該國(guó)的半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 2024 年的 520 億美元增長(zhǎng)到 2030 年的 1034 億美元。如今,半導(dǎo)體為幾乎所有電子設(shè)備提供動(dòng)力,從手機(jī)到無(wú)人駕駛汽車。在人工智能興起、汽車電氣化和自動(dòng)駕駛等幾個(gè)全球趨勢(shì)的推動(dòng)下,對(duì)半導(dǎo)體的需求正在激增。IDC 的一份報(bào)告顯
- 關(guān)鍵字: 印度 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體稅收抵免提升僅對(duì)正在進(jìn)行的項(xiàng)目有所幫助
- 律師 Holland King 表示,參議院關(guān)于增加半導(dǎo)體建設(shè)稅收抵免的提案將使現(xiàn)有工作受益,但對(duì)鼓勵(lì)新項(xiàng)目幾乎沒(méi)有作用。美國(guó)參議院對(duì)唐納德·特朗普總統(tǒng)的大規(guī)模稅收和支出計(jì)劃做出的改變之一是將先進(jìn)制造業(yè)投資抵免(非正式地稱為半導(dǎo)體抵免)從25%提高到30%。此變更將適用于 12 月 31 日之后投入使用的任何設(shè)施。但該法案沒(méi)有起到的作用對(duì)于那些希望利用這項(xiàng)抵免的人來(lái)說(shuō)同樣重要。投資稅收抵免是在 CHIPS 法案中引入的,旨在鼓勵(lì)建設(shè)或改進(jìn)制造半導(dǎo)體或其他半導(dǎo)體制造設(shè)備的設(shè)施。它允許業(yè)主申請(qǐng) 25% 的合格
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 稅收抵免
印日關(guān)系加深,重點(diǎn)關(guān)注的半導(dǎo)體和智慧城市投資
- 日本商工部周四宣布,日本駐印度大使小野圭一 (Keiichi Ono) 率領(lǐng)一個(gè)由日本知名公司組成的高級(jí)代表團(tuán)正式訪問(wèn)了古吉拉特邦的 Dholera 特別投資區(qū) (SIR),古吉拉特邦是德里-孟買(mǎi)工業(yè)走廊 (DMIC) 下的印度綠地智能工業(yè)城市。此次訪問(wèn)是加強(qiáng)印度和日本之間工業(yè)合作的一個(gè)重要里程碑,該合作以創(chuàng)新、可持續(xù)性和包容性發(fā)展的共同價(jià)值觀為基礎(chǔ)。為期兩天的參與從在艾哈邁達(dá)巴德舉行的會(huì)議開(kāi)始,然后是對(duì) Dholera SIR 的實(shí)地考察。日本代表團(tuán)在 Dholera 工業(yè)城發(fā)展有限公司 (DICDL)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 智慧城市
三星電子的半導(dǎo)體困境:HBM苦苦掙扎,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手表現(xiàn)出色
- 三星電子在今年第二季度錄得的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)明顯低于市場(chǎng)預(yù)期,引發(fā)了對(duì)其高帶寬內(nèi)存 (HBM) 業(yè)務(wù)失敗的擔(dān)憂,這被視為這一缺口背后的最大原因,以及代工業(yè)務(wù)的潛在復(fù)蘇。盡管存儲(chǔ)半導(dǎo)體需求低迷,但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領(lǐng)下取得了不錯(cuò)的成績(jī),而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是,三星電子自第四代 HBM (HBM3) 以來(lái),所有代 HBM 產(chǎn)品都未能取得顯著成果,導(dǎo)致 SK 海力士和美光占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)先地位。根據(jù)國(guó)內(nèi)證券公司的分析,三星電子的內(nèi)存部門(mén)錄得約 3 萬(wàn)億韓元的營(yíng)業(yè)利
- 關(guān)鍵字: 三星電子 半導(dǎo)體 HBM
Applied Materials:為半導(dǎo)體帶來(lái)更清潔的能源
- 半導(dǎo)體制造商應(yīng)用材料公司 (Applied Materials) 在解決其全球運(yùn)營(yíng)和供應(yīng)鏈中的能源使用問(wèn)題的同時(shí),在可再生電力方面取得了進(jìn)展應(yīng)用材料公司發(fā)布了《2024 年影響報(bào)告》,其中闡述了它如何應(yīng)對(duì)實(shí)現(xiàn)清潔能源目標(biāo)的挑戰(zhàn),同時(shí)建造新設(shè)施來(lái)服務(wù)于快速增長(zhǎng)的科技行業(yè)。該公司總部位于加利福尼亞州,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供從消費(fèi)設(shè)備到數(shù)據(jù)中心的機(jī)器。這意味著它不僅僅是能源用戶,它還有助于定義全球數(shù)字系統(tǒng)中的能源消耗方式。在能源方面,既有進(jìn)步,也有壓力。可再生電力增加,但排放量也在增加應(yīng)用材料公司承諾到 2030
- 關(guān)鍵字: Applied Materials 半導(dǎo)體 清潔能源 應(yīng)用材料
AI驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人加速半導(dǎo)體研發(fā),實(shí)現(xiàn)綠色能源
- 科學(xué)家們正在尋求可能提高太陽(yáng)能電池和其他小工具效率的新型半導(dǎo)體材料。然而,科學(xué)家手動(dòng)監(jiān)測(cè)關(guān)鍵材料特性的速度是創(chuàng)新的障礙。得益于麻省理工學(xué)院研究人員創(chuàng)建的完全自主機(jī)器人系統(tǒng),事情可能會(huì)發(fā)展得更快。該研究發(fā)表在《科學(xué)進(jìn)展》上。他們的技術(shù)利用機(jī)器人探針來(lái)評(píng)估光電導(dǎo)率,這是一種重要的電學(xué)特性,決定了材料對(duì)光的接受程度。研究人員將人類專家在材料科學(xué)領(lǐng)域的知識(shí)納入機(jī)器學(xué)習(xí)模型,以指導(dǎo)機(jī)器人的決策。這允許機(jī)器人選擇與探針接觸材料的最佳位置,以獲得有關(guān)其光電導(dǎo)的大部分信息,同時(shí)獨(dú)特的規(guī)劃方法確定接觸點(diǎn)之間的最快路徑。在
- 關(guān)鍵字: AI 機(jī)器人 半導(dǎo)體 綠色能源
關(guān)稅糾纏不清環(huán)境中半導(dǎo)體的逆向機(jī)遇
- 半導(dǎo)體行業(yè)是全球科技經(jīng)濟(jì)的關(guān)鍵,目前正在波濤洶涌的水域中航行。在美中貿(mào)易緊張局勢(shì)升級(jí)之際,拜登政府對(duì)關(guān)鍵礦產(chǎn)和半導(dǎo)體的 232 條款調(diào)查(將于 2025 年 11 月結(jié)束)為本已動(dòng)蕩的市場(chǎng)注入了不確定性。對(duì)于投資者來(lái)說(shuō),動(dòng)蕩提供了一個(gè)典型的逆向機(jī)會(huì):有機(jī)會(huì)以折扣價(jià)購(gòu)買(mǎi) Nvidia (NVDA) 等優(yōu)質(zhì)股票,同時(shí)為該行業(yè)的長(zhǎng)期增長(zhǎng)軌跡做好準(zhǔn)備。關(guān)稅十字路口:風(fēng)險(xiǎn)與現(xiàn)實(shí)美國(guó)正在審查其對(duì)半導(dǎo)體和關(guān)鍵礦物的外國(guó)供應(yīng)鏈的依賴,這些半導(dǎo)體和關(guān)鍵礦物對(duì)人工智能芯片、電動(dòng)汽車和國(guó)防系統(tǒng)至關(guān)重要。20
- 關(guān)鍵字: 關(guān)稅 半導(dǎo)體 NVDA Nvidia
全球半導(dǎo)體濕化學(xué)品市場(chǎng)到2031年達(dá)17億美元
- 半導(dǎo)體市場(chǎng)中的濕化學(xué)品按類型(通用濕化學(xué)品、功能性濕化學(xué)品)、應(yīng)用(清潔應(yīng)用、蝕刻應(yīng)用)進(jìn)行細(xì)分。半導(dǎo)體中的濕化學(xué)品市場(chǎng)在 2024 年的價(jià)值為 11.46 億美元,預(yù)計(jì)到 2031 年將達(dá)到 17.35 億美元的修訂規(guī)模,在預(yù)測(cè)期內(nèi)的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 6.2%。推動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)濕化學(xué)品增長(zhǎng)的主要因素:在小型化趨勢(shì)、不斷擴(kuò)大的制造產(chǎn)能和芯片生產(chǎn)復(fù)雜性上升的推動(dòng)下,半導(dǎo)體市場(chǎng)的濕化學(xué)品正處于強(qiáng)勁的上升軌道上。這些化學(xué)品是關(guān)鍵制造步驟的基礎(chǔ),并且正在不斷發(fā)展以滿足先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的需求
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 濕化學(xué)品
5 月全球半導(dǎo)體銷售額同比增長(zhǎng)19.8%
- 2025 年 7 月 7 日 — 半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) (SIA) 今天宣布,2025 年 5 月全球半導(dǎo)體銷售額為 590 億美元,與 2024 年 5 月的 492 億美元相比增長(zhǎng) 19.8%,比 2025 年 4 月的 570 億美元增長(zhǎng) 3.5%。月度銷售額由世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì) (WSTS) 組織編制,代表三個(gè)月的移動(dòng)平均線。按收入計(jì)算,SIA 占美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè) 99% 的股份,占非美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的近三分之二。芯片公司。“5 月份全球半導(dǎo)體銷售額保持強(qiáng)勁,略高于上個(gè)月的總額,仍遠(yuǎn)高于去年同月的銷售額,”
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體
硅熱潮:AI 內(nèi)容工具如何推動(dòng)半導(dǎo)體和云增長(zhǎng)
- AI 驅(qū)動(dòng)的內(nèi)容優(yōu)化工具(從實(shí)時(shí)語(yǔ)言翻譯和視頻分析到個(gè)性化營(yíng)銷)的快速發(fā)展正在重塑各行各業(yè)。這些創(chuàng)新的背后是一個(gè)無(wú)聲的引擎:對(duì)半導(dǎo)體和云基礎(chǔ)設(shè)施的飆升需求。隨著公司利用 AI 來(lái)改進(jìn)內(nèi)容創(chuàng)建和交付,為這些系統(tǒng)及其托管數(shù)據(jù)中心提供動(dòng)力的芯片正在成為 2025 年及以后的關(guān)鍵投資主題。半導(dǎo)體淘金熱:以 AI 芯片為核心全球半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在 2025 年達(dá)到 6970 億美元,其中 AI 應(yīng)用推動(dòng)了超過(guò) 20% 的增長(zhǎng)。用于訓(xùn)練和部署大型語(yǔ)言模型 (LLM) 和其他 AI 工具的生成式 AI (gen AI)
- 關(guān)鍵字: 硅熱潮 AI 內(nèi)容工具 半導(dǎo)體 云增長(zhǎng)
韓國(guó)半導(dǎo)體霸主地位在人才嚴(yán)重短缺中岌岌可危
- 曾經(jīng)熙熙攘攘的輝慶工業(yè)高中(Whigyeong Technical High School)位于首爾東部的東大門(mén)區(qū)(Dongdaemun District),現(xiàn)已更名為首爾半導(dǎo)體高中(Seoul Semiconductor High School),它正在為身份的重大轉(zhuǎn)變做準(zhǔn)備。在李明博政府推動(dòng)職業(yè)教育的鼎盛時(shí)期,該學(xué)校招收了多達(dá) 2,500 名學(xué)生。今天,它只有 80 個(gè)。面對(duì)關(guān)閉,該學(xué)校正在將自己重塑為一所半導(dǎo)體高中,計(jì)劃明年招收 64 名新生。該校新任命的校長(zhǎng)池宇貞(Ji Woo-jung)是三星電
- 關(guān)鍵字: 韓國(guó) 半導(dǎo)體 人才嚴(yán)重短缺
赴美新建半導(dǎo)體工廠減免35%稅收!加速推進(jìn)“芯片制造回流美國(guó)”?

- 美國(guó)參議院本周通過(guò)的《全面稅收法案》將降低半導(dǎo)體制造商在美國(guó)建廠的成本,為芯片制造商帶來(lái)利益,并將促進(jìn)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本土化進(jìn)程。根據(jù)參議院通過(guò)該法案最終版本,英特爾、臺(tái)積電和美光科技等公司如果在現(xiàn)有《芯片與科學(xué)法案》提出的2026年截止日期之前在美國(guó)動(dòng)工興建新工廠,將有資格享受35%的投資稅收抵免。這一比例遠(yuǎn)超現(xiàn)行芯片法案規(guī)定的抵免25%,并且超過(guò)了提案草案中設(shè)想的30%。值得注意的是,據(jù)悉這項(xiàng)稅收抵免沒(méi)有上限,很可能已經(jīng)高于其他形式的補(bǔ)貼 —— 這取決于投資規(guī)模。無(wú)論在哪種情況下,這種稅收抵免幾乎都將帶
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 芯片
美國(guó)參議院據(jù)報(bào)道考慮為新建芯片工廠提供35%稅收抵免,將提振臺(tái)積電、英特爾和三星
- 盡管特朗普政府是否會(huì)或如何推進(jìn)芯片關(guān)稅仍不明確, 彭博社 暗示參議院已通過(guò)重大稅收立法,為芯片制造商帶來(lái)重大利好。該法案將美國(guó)新建半導(dǎo)體工廠的投資稅收抵免從 25%提高到 35%——超過(guò)了先前提出的 30%,報(bào)告補(bǔ)充說(shuō),這將使英特爾、臺(tái)積電、三星和美光等已承諾在美國(guó)進(jìn)行重大投資的公司受益。值得注意的是,根據(jù)彭博社的報(bào)道,芯片制造商如果在2026年之前開(kāi)始建設(shè)就有資格獲得稅收抵免。據(jù)報(bào)道,參議院已經(jīng)獲得批準(zhǔn),眾議院正努力在7月4日之前通過(guò)該法案,并將其送交特朗普進(jìn)行最終簽署。如果這一稅收
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 芯片制造 美國(guó)
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
相關(guān)主題
安森美半導(dǎo)體
半導(dǎo)體材料
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體
國(guó)家半導(dǎo)體
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司
飛兆半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體
飛兆半導(dǎo)體公司
意法半導(dǎo)體(ST)
特許半導(dǎo)體
半導(dǎo)體
汽車半導(dǎo)體
卓聯(lián)半導(dǎo)體公司
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
意法半導(dǎo)體(ST)
意法半導(dǎo)體(ST)與德州儀器
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(NS)
半導(dǎo)體市場(chǎng)
半導(dǎo)體芯片
賽普拉斯半導(dǎo)體公司
熱門(mén)主題
飛思卡爾、飛利浦和意法半導(dǎo)體
飛利浦半導(dǎo)體
飛思卡爾半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體公司
半導(dǎo)體技術(shù)
卓聯(lián)半導(dǎo)體
半導(dǎo)體公司
模擬半導(dǎo)體
現(xiàn)代半導(dǎo)體
中國(guó)半導(dǎo)體
半導(dǎo)體封測(cè)
美新半導(dǎo)體
半導(dǎo)體元件
意法半導(dǎo)體公司
無(wú)線半導(dǎo)體
飛索半導(dǎo)體
中微半導(dǎo)體
半導(dǎo)體制程
半導(dǎo)體測(cè)試
萊迪思半導(dǎo)體
手機(jī)半導(dǎo)體
海思半導(dǎo)體
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
樹(shù)莓派
linux
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
