第三代半導體材料產業中國將走在世界前沿

　　日前，中歐第三代半導體高峰論壇在廣東省深圳市舉行，來自中國和歐洲從事碳化硅、氮化鎵等第三代半導體技術研究的200多位知名專家學者和產業界人士匯聚一堂，探討第三代半導體材料的前沿技術和發展趨勢。

　　國際權威信息技術研究與顧問咨詢公司高德納發布的最新預測報告顯示，2017年全球半導體市場總營收將達到4111億美元，較2016年增長19.7%。據統計，全球半導體市場總營收在2014年至2016年間，規模在3400億美元左右。2017年因內存價格逐季大漲，帶動半導體市場出現強勁增長。2018年半導體市場可望增長4%，達到4274億美元規模，繼續創新高。

　　記者從論壇上獲悉，近年來，以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等優點，可廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、新一代移動通信、消費類電子等領域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產業發展的核心技術，已成為美國、歐洲、日本半導體行業的重點研究方向。

　　多位出席論壇的專家表示，目前中國在第三代半導體材料研究上緊跟世界前沿，是為數不多的碳化硅材料襯底、材料外延產業化的國家。深圳青銅劍科技股份有限公司副總裁和巍巍表示，我國第三代半導體器件設計和制造工藝正向世界先進水平邁進，行業已迎來發展的春天。深圳市人大常委會副主任、深圳市科學技術協會主席蔣宇揚表示，廣大科技企業與科技工作者要緊扣時代脈搏，進一步加大研發投入、加強國際合作，助力第三代半導體產業快速發展。