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        【E課堂】詳解芯片的設計生產流程

        作者: 時間:2017-07-10 來源:尋芯問料 收藏

          分層施工,逐層架構

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201707/361510.htm

          知道 IC 的構造后,接下來要介紹該如何制作。試想一下,如果要以油漆噴罐做精細作圖時,我們需先割出圖形的遮蓋板,蓋在紙上。接著再將油漆均勻地噴在紙上,待油漆乾后,再將遮板拿開。不斷的重復這個步驟后,便可完成整齊且復雜的圖形。制造 IC 就是以類似的方式,藉由遮蓋的方式一層一層的堆疊起來。

          

        從晶圓到芯片:詳解芯片的設計生產流程

          制作 IC 時,可以簡單分成以上 4 種步驟。雖然實際制造時,制造的步驟會有差異,使用的材料也有所不同,但是大體上皆采用類似的原理。這個流程和油漆作畫有些許不同,IC 制造是先涂料再加做遮蓋,油漆作畫則是先遮蓋再作畫。以下將介紹各流程。

          金屬濺鍍:將欲使用的金屬材料均勻灑在片上,形成一薄膜。

          涂布光阻:先將光阻材料放在片上,透過光罩(光罩原理留待下次說明),將光束打在不要的部分上,破壞光阻材料結構。接著,再以化學藥劑將被破壞的材料洗去。

          蝕刻技術:將沒有受光阻保護的硅,以離子束蝕刻。

          光阻去除:使用去光阻液皆剩下的光阻溶解掉,如此便完成一次流程

          最后便會在一整片晶圓上完成很多 6IC ,接下來只要將完成的方形 IC 剪下,便可送到封裝廠做封裝,至于封裝廠是什么東西?就要待之后再做說明啰。

          

        從晶圓到芯片:詳解芯片的設計生產流程

          ▲ 各種尺寸晶圓的比較。(Source:Wikipedia)

          納米制程是什么?

          三星以及臺積電在先進半導體制程打得相當火熱,彼此都想要在晶圓代工中搶得先機以爭取訂單,幾乎成了 14 納米與 16 納米之爭,然而 14 納米與 16 納米這兩個數字的究竟意義為何,指的又是哪個部位?而在縮小制程后又將來帶來什么好處與難題?以下我們將就納米制程做簡單的說明。

          納米到底有多細微?

          在開始之前,要先了解納米究竟是什么意思。在數學上,納米是 0.000000001 公尺,但這是個相當差的例子,畢竟我們只看得到小數點后有很多個零,卻沒有實際的感覺。如果以指甲厚度做比較的話,或許會比較明顯。

          用尺規實際測量的話可以得知指甲的厚度約為 0.0001 公尺(0.1 毫米),也就是說試著把一片指甲的側面切成 10 萬條線,每條線就約等同于 1 納米,由此可略為想像得到 1 納米是何等的微小了。

          知道納米有多小之后,還要理解縮小制程的用意,縮小電晶體的最主要目的,就是可以在更小的中塞入更多的電晶體,讓芯片不會因技術提升而變得更大;其次,可以增加處理器的運算效率;再者,減少體積也可以降低耗電量;最后,芯片體積縮小后,更容易塞入行動裝置中,滿足未來輕薄化的需求。

          再回來探究納米制程是什么,以 14 納米為例,其制程是指在芯片中,線最小可以做到 14 納米的尺寸,下圖為傳統電晶體的長相,以此作為例子。縮小電晶體的最主要目的就是為了要減少耗電量,然而要縮小哪個部分才能達到這個目的?左下圖中的 L 就是我們期望縮小的部分。藉由縮小閘極長度,電流可以用更短的路徑從 Drain 端到 Source 端(有興趣的話可以利用 Google 以 MOSFET 搜尋,會有更詳細的解釋)。

          

        從晶圓到芯片:詳解芯片的設計生產流程

         

          此外,電腦是以 0 和 1 作運算,要如何以電晶體滿足這個目的呢?做法就是判斷電晶體是否有電流流通。當在 Gate 端(綠色的方塊)做電壓供給,電流就會從 Drain 端到 Source 端,如果沒有供給電壓,電流就不會流動,這樣就可以表示 1 和 0。(至于為什么要用 0 和 1 作判斷,有興趣的話可以去查布林代數,我們是使用這個方法作成電腦的)

          尺寸縮小有其物理限制

          不過,制程并不能無限制的縮小,當我們將電晶體縮小到 20 納米左右時,就會遇到量子物理中的問題,讓電晶體有漏電的現象,抵銷縮小 L 時獲得的效益。作為改善方式,就是導入 FinFET(Tri-Gate)這個概念,如右上圖。在 Intel 以前所做的解釋中,可以知道藉由導入這個技術,能減少因物理現象所導致的漏電現象。

          

        從晶圓到芯片:詳解芯片的設計生產流程

         

          更重要的是,藉由這個方法可以增加 Gate 端和下層的接觸面積。在傳統的做法中(左上圖),接觸面只有一個平面,但是采用 FinFET(Tri-Gate)這個技術后,接觸面將變成立體,可以輕易的增加接觸面積,這樣就可以在保持一樣的接觸面積下讓 Source-Drain 端變得更小,對縮小尺寸有相當大的幫助。

          最后,則是為什么會有人說各大廠進入 10 納米制程將面臨相當嚴峻的挑戰,主因是 1 顆原子的大小大約為 0.1 納米,在 10 納米的情況下,一條線只有不到 100 顆原子,在制作上相當困難,而且只要有一個原子的缺陷,像是在制作過程中有原子掉出或是有雜質,就會產生不知名的現象,影響產品的良率。

          如果無法想像這個難度,可以做個小實驗。在桌上用 100 個小珠子排成一個 10×10 的正方形,并且剪裁一張紙蓋在珠子上,接著用小刷子把旁邊的的珠子刷掉,最后使他形成一個 10×5 的長方形。這樣就可以知道各大廠所面臨到的困境,以及達成這個目標究竟是多么艱巨。

          隨著三星以及臺積電在近期將完成 14 納米、16 納米 FinFET 的量產,兩者都想爭奪 Apple 下一代的 iPhone 芯片代工,我們將看到相當精彩的商業競爭,同時也將獲得更加省電、輕薄的手機,要感謝摩爾定律所帶來的好處呢。



        關鍵詞: 芯片 晶圓

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