三星和臺積電偷笑：就算Intel技術牛又奈我何？

　　很多話題討論的開始，均是基于每一次非英特爾芯片制造商對制造工藝的升級。最初，臺積電和三星明確表示，將以最快的速度從“20納米”過渡的“14/16納米”，而且將會重點發展稱之為“FinFET”的晶體管結構器件，重點宣傳新工藝相比傳統而言芯片面積將得到大幅縮減，適配每一代工藝制程。

　　另一方面，當時英特爾也正處于22納米工藝技術到14納米的過渡中，并且英特爾也掌握了第二代FinFET(Tri-Gate)器件技術。不過，英特爾的動作太慢了，導致三星和臺積電各自挑釁稱，其16和14納米已經領先英特爾，而英特爾仍無法完全脫離22納米的工藝制程，并且還有事實證明，臺積電的20納米工藝的晶體管密度比英特爾的22納米更高。

　　英特爾從22納米過渡到14納米的時間實在過漫長，這點不假，而且英特爾也意識到了，在工藝制程技術同步發展的過程中，晶體管密度的競爭相當重要。事實上，面對民間乃至業界廣為談論的誤導性話題，英特爾并沒有刻意的做任何回應，但當英特爾正式公布自家14納米技術時，才真正確定了不可動搖的領先地位。

　　下圖為英特爾官方提供的邏輯面積比例圖：

　　從這個英特爾的圖來看，英特爾承認自家的32納米不如28納米工藝，主要是指柵極與柵極之間的間距前者不如后者。再到22納米與20納米工藝的對比，結果亦是如此。不過，確實只有在14納米和16納米工藝節點，才超過了其余競爭對手，確立起領先的地位。

　　所以，三星和臺積電所說的都是事實，這兩大越來越出色的芯片代工廠在20納米制程時代確是領先于英特爾22納米。但不可否認英特爾新一代14納米更為出色，至少晶體管密度的優勢上超過了其他對手的14/16納米工藝節點。