臺積電工藝加速 16nm工藝年內試產

　　隨著移動產業的發展，業界對更高的半導體制程的需求再度進入了一個高速發展的階段。作為全球半導體代工市場的老大，臺積電的工藝發展情況關系到眾多合作廠商的產品，因此臺積電的一舉一動也頗受關注。日前，臺積電宣布已經決定將16nmFinFET工藝的試產時間從2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術制造10nm的芯片。

　　在年初舉行的半導體大會上，臺積電就展示了其FinFET工藝晶圓，不過當時臺積電并沒有透露FinFET工藝計劃將提前。

　　臺積電首席技術官孫元成(JackSun)表示：“我們對16nmFinFET工藝在明年的黃金時代(量產)充滿信心。”他還披露，16nm目前正在使用128MbSRAM進行測試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率“超出預期”。標準單元、內存單元等基礎性IP都已經做好了準備，但是關鍵內部模塊的測試要到6月份才會開始。

　　據悉，64-bitARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm32-bitARMA9高出多達90%，而相比之下20nmA15核心只能提速大約40%。

　　未來一段時間，半導體代工行業的升級競賽將在三星、臺積電以及GF之間上演，究竟誰能夠更早的拿出20nm甚至16nm技術將關系到整個半導體產業的前進步伐。