在2024年即將到來之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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HBM DDR AI GPU 美光 海力士
11 月 28 日消息，上周就有研究機構的數據顯示，在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動的人工智能領域應用需求增加的推動下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場的份額達到了 35%，是他們自成立以來市場份額最高的一個季度。而從最新報告來看，DRAM 市場份額在三季度創下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對手三星電子在這一產品領域的市場份額差距。研究機構的報告顯示，SK 海力士 DRAM 產品在三季度的銷售額為 46.3 億美元，環比增長 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
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三星 DRAM 海力士
11 月 30 日消息，據外媒報道，從去年下半年開始，受消費電子產品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產量、人工智能領域相關需求增加的推動下，DRAM 這一類存儲產品的價格已在回升，銷售額環比也在增加。研究機構最新的數據就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達到了 132.4 億美元，環比增長 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續兩個季度環比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長，也就意味著主要廠商的銷售額，環
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DRAM 閃存 三星 海力士
三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接續舉行法說，釋出對存儲器產業看法，兩大廠商均表示，PC、手機終端庫存去化已告一段落、傳統服務器需求依然疲弱，而AI服務器需求則較為強勁。業界人士認為，存儲器原廠減產以求獲利的決心不容小覷，在獲利數字翻正前，應會持續減產策略，預期2024年上半年內存報價向上趨勢不變。臺系存儲器相關廠商包括南亞科、華邦電、群聯、威剛、創見、十銓、宇瞻等有望受惠。時序進入第四季，三星認為，市場復蘇將加速，在旺季帶動之下，市場DRAM、NAND Flash位出貨量，可望分別
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存儲器 三星 海力士
半導體產業作為現代科技的重要支撐，對經濟發展和社會進步起著關鍵性的作用。半導體在計算機、通信、消費電子、汽車、工業控制、醫療設備等各個領域廣泛應用，扮演著連接現實世界與數字世界的橋梁。然而，半導體產業正面臨著嚴峻的挑戰。1、技術研發半導體技術日新月異，要保持競爭力必須不斷進行技術研發和創新。新興技術的涌現不僅促使企業進行升級換代，同時也帶來了更多的市場機會。然而，技術研發需要投入大量的資金和人力資源，對于規模較小的企業來說具有較大的挑戰。 2、產品質量半
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海力士 半導體 通信
韓媒報道，美國將無限期延長對三星電子和 SK 海力士在中國業務的豁免。
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三星 海力士
IT之家 9 月 12 日消息，根據韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內存量產。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數越多，處理數據的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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由于各大企業對布局AI領域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領先地位，其二季度用于AI領域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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6 月 18 日消息，據 businesskorea 以及 etnews 報道，SK 海力士將擴展其 HBM3 后道工藝生產線，并已收到英偉達要求其送測 HBM3E 樣品的請求據稱，考慮到對人工智能 (AI) 半導體的需求增加，S 海力士正在考慮將 HBM 的產能翻倍的計劃。業內消息稱 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 對 HBM3E 樣品的請求，并正在準備發貨。HBM3E 是當前可用的最高規格 DRAM HBM3 的下一代，被譽為是第五代半導體產品。SK 海力士目前正致力于開發該產品
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IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經完成了 1bnm 的開發，這是 10 納米工藝技術的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產品的內存程序進行驗證。海力士的 DRAM 開發主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產品所采用。英特爾內存和 IO 技術副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個針對
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海力士 DDR5
隨著高性能半導體需求的不斷增加，半導體市場越來越意識到“封裝工藝”的重要性。 順應發展潮流，SK海力士為了量產基于HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）的先進封裝產品和開發下一代封裝技術，盡力確保生產線投資與資源。一些曾經專注于半導體存儲器制造技術的企業也紛紛布局封裝技術領域，其投資力度甚至超過專攻此類技術的OSAT1（外包半導體組裝和測試）公司。這是因為，越來越多的企業深信封裝技術將會成為半導體行業及企業未來的核心競爭力。隨著高性能半導體需求的不斷增加，半導體市場越來越意識到
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海力士 異構集成 半導體封裝
2 月 2 日消息，據外媒報道，存儲芯片需求下滑，導致價格與出貨量雙雙下滑，三星電子和 SK 海力士這兩大存儲芯片制造商也受到了影響，前者存儲業務及所在設備解決方案部門（DS 部門）的營收和營業利潤，連續兩個季度同比大幅下滑，SK 海力士也是如此，得益于上半年業績尚可，他們全年的營收也有增長，但利潤同比下滑明顯。雖然三星電子存儲業務和 SK 海力士在去年的利潤都有大幅下滑，但他們仍將向員工發放高額績效獎金。從外媒的報道來看，三星電子存儲芯片業務所在的設備解決方案部門和 SK 海力士，都決定發放高額獎金。具
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三星 海力士
IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發的第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務器處理器（代號為 Sapphire Rapids）兼容認證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術的 1a 納米 DDR5 DRAM 產品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務器處理器可支持的存儲器認證。將通過目前在量產的 DDR5 積極應對增長趨勢的服務器市場，盡早克服存儲器半導體的低迷市況。新一代服務器用 CPU 上
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