- 如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續改進技術，尤其是強化3D堆疊設計。SK海力士就計劃在今年量產72層堆疊閃存。
2015年，SK海力士量產了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。
2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。
2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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海力士 閃存
- 據海外媒體報道，SK接手經營LG半導體業務，實現了半導體項目大交易。SK方面認為，他們實現了半導體項目的垂直整合，LG方面則認為這是“選擇和集中”戰略的成果。
SK于23日舉行理事會，決定以6200億韓元(約合人民幣36.6億元)收購LG所擁有的LG Siltron51%的股份。LG Siltron是制造半導體芯片基礎材料——半導體硅晶片的專門企業，據 SK 指出，LG Siltron 2015 年營收為 7,774 億韓元、盈利為 54 億韓元，
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SK 晶圓
- 據報道，SK接手經營LG半導體業務，實現了半導體項目大交易。SK方面認為，他們實現了半導體項目的垂直整合，LG方面則認為這是“選擇和集中”戰略的成果。
SK于23日舉行理事會，決定以6200億韓元(約合人民幣36.6億元)收購LG所擁有的LG Siltron51%的股份。LG Siltron是制造半導體芯片基礎材料——半導體硅晶片的專門企業，據 SK 指出，LG Siltron 2015 年營收為 7，774 億韓元、盈利為 54 億韓元，2016
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SK LG
- 廠商爭相投資，3D NAND Flash前景不妙?據傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應求、呈現供給過剩的狀況。
BusinessKorea 6日報道，NAND需求爆發，據悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月，改在明年三、四月開始生產第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠，屆時三星3D NAND產能將從
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東芝 海力士
- 因宣布入股臺灣多家半導體公司，而鬧得滿城風雨的中國清華紫光集團董事長趙偉國，銷聲匿跡一段時間，現在又重現江湖。
這回，他將掌管整合后的中國記憶體最新國家隊──資本額一八九億人民幣(約八七七億臺幣)、于七月二十六日宣布成立的長江存儲。
經營房地產致富的趙偉國，過去接受記者專訪時，一再強調他一系列遍布美國、臺灣的半導體業投資，純粹出于商業考量，并非中國政府授意。
然而，“長江存儲董事長”這個新身分，代表他已是中國國家半導體政策的主導者之一。
根據報導，湖北省
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三星 海力士
- 全球景氣不佳，今年上半年南韓主要企業的投資與雇用紛紛陷入萎縮。
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三星 SK
- 市調機構TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange統計數據顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩居全球龍頭，也創下歷史新高。
盡管如此，受DRAM平均報價下滑沖擊，三星當季行動DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。
SK海力士狀況類似，市占率雖然進步0.8個百分點，但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總三星與海力士市占率，從去年第四
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海力士 DRAM
- 工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領域，預期海力士恐將是最大潛在受害者。
聯電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開發動態隨機存取記憶體(DRAM)相關制程技術，引起各界關注。
工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統研究組副組長楊瑞臨認為，為替代進口，中國大陸發展DRAM似乎已勢在必行。
楊瑞臨指出，中國大陸目前至少有 5家廠商規劃投入DRAM發展，除這次委托聯電開發技術的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業，
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DRAM 海力士
- 韓國第三大企業集團鮮京集團(SK Group)正在繼續擴張電動車鋰電池生產線，這次將目光投向了電動汽車增速強勁的中國，計劃在中國建設一座電動車電池工廠。
據外媒4月20日報道，鮮京集團旗下公司SK Innovation Co.(096770.SE，下稱SK Innovation)表示，正與幾家公司談判，打算聯手在中國興建一座電動車電池工廠，具體消息將在近期公布。
“SK Innovation看中的是中國的新能源汽車市場。”一家電動汽車電池廠商的內部人士對界面新聞記者
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SK 電池
- SK海力士(SK Hynix)正式發表第二代36層3D NAND Flash服務器用固態硬碟(SSD)，借由推出3D NAND Flash固態硬碟及其他高規格產品，積極搶攻企業市場。
據亞洲經濟報導，日前SK海力士參加在大陸深圳召開的英特爾開發者論壇(IDF)，并公開采用第二代3D NAND Flash與控制器的服務器用NVMe介面固態硬碟。據了解，SK海力士從2016年初開始量產36層3D NAND Flash。
SK海力士公開的1TB NVMe介面固態硬碟，采用3D NAND Flas
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SK Hynix SSD
- 現在PC硬件中最實惠的就是DRAM內存及NAND閃存了，8GB內存重回199元大關，240/256GB硬盤售價低至400元，簡直是白菜價。
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三星 SK Hynix
- 據相關消息，韓國SK電訊計劃在接下來的兩年內投資1000億韓元(約8400萬美元)，擴張公司物聯網(IoT)業務。
該韓國電信網絡運營商計劃在今年內建設一個全國性的低功耗廣域網(LPWA)，發展物聯網專用模塊，并升級其物聯網平臺ThingPlug以便提供更多創新物聯網服務。
韓國SK電訊總裁兼首席業務官Lee Hyung-hee表示：“通過我們涵蓋網絡、平臺以及設備的物聯網戰略，SK Telecom將會引領整個物聯網行業的發展。”
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SK 物聯網
- 受終端各應用部門對存儲器產品需求疲弱的影響，2015年第4季韓國第二大存儲器廠商SK海力士(SK Hynix)營收僅達4.4兆韓元，較前季4.9兆韓元衰退10%，亦較2014年同期衰退14%。
在產品價格下滑、出貨狀況不如預期，加上營業費用占營收比重攀升等影響，2015年第4季SK海力士稅后凈利僅達8,710億韓元，較前季1兆韓元衰退16.9%，不僅獲利表現不如預期，也是自2014年第4季以來連續4季衰退。
2015年第4季SK海力士DRAM部門受到PC與移動裝置需求疲弱影響，位元出貨量較
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SK Hynix 存儲器
- 在中國半導體業者積極爭取市占的環境中，三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK Hynix今(2015)年仍持續擴大在全球半導體市場的占有率。
韓媒BusinessKorea 14日報導，科技市調機構IC Insights 13日發表一就報告指出，三星今年仍是全球第二大半導體制造商、銷售額達到416億美元，緊追在英特爾(Intel Corp.)的503億美元之后。不過，兩家公司的差距已從去年的157億美元收斂至87億美元，主要是因為英特爾今年營收下降了2%、但三星卻成長1
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