北京時間13日 韓聯社報道，據美國知名半導體市場調研機構IC Insights13日消息，三星[微博]電子和SK海力士入圍整合元件制造商三甲，而全球十大芯片設計公司(Fabless)中沒有一家韓國企業?！ ≡?015年整合元件制造商銷售排名中，三星電子(416億美元)和SK海力士(169億美元)分列第二和第三，而英特爾(34.27, -0.50, -1.44%)以503億美元穩居榜首。在芯片設計企業方面，高通(47.46, -1.11, -2.28%)-CSR排名第一，安華高-博通(57.34, -0
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三星 海力士
南韓記憶體大廠SKHynix雖一口回絕了紫光集團(TsinghuaUnigroup)共組合資企業的提議，但商場沒有永遠敵人，韓媒傳出在競爭日益激烈的環境下，SKHynix有意與紫光簽立專利授權協議，希望能降低一些市場風險。
韓國時報29日報導，駐扎首爾的數名歐美投資銀行基金經理人直指，SKHynix其實很想(morethaninterested)和紫光合作、分享記憶體晶片專利科技，未來或許會和紫光就公司市占較低的快閃記憶體簽訂廣泛的專利授權合約，因為紫光的生產成本更為低廉。根據經理人的說法，中國
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SK Hynix 紫光
北京時間11月27日下午消息，韓國芯片制造商SK海力士發言人今天表示，該公司拒絕了紫光集團的合作要約，但并未提供詳細信息。 最近有媒體報道稱，紫光集團計劃收購海力士最多20%的股權。但該發言人拒絕對此置評。 紫光集團發言人稱，該公司尚未留意相關事項。
SK海力士股價周三和周四累計大漲8.4%，但周五午盤下跌0.6%。
紫光集團今年早些時候斥資230億美元洽購美光集團，同樣遭到拒絕。但知情人士表示，該公司尚未放棄這項交易。
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紫光 海力士
SK控股(SKHoldings)于23日召開理事會，決定收購49.1%的OCIMaterials股權，以每股9.3萬韓元(約80美元)收購價來看，估計SK控股以4,816億韓元(約4.1億美元)代價入主OCIMaterials，SK集團(SKGroup)也正式進軍半導體材料領域。
根據韓媒MoneyToday的報導，SK集團(SKGroup)24日對外宣布，SK控股已于23日召開理事會，決定出資4.1億美元，收購49.1%的OCIMaterials股權，該股權的原本持有者為韓國OCI。據了解，這
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SK 半導體
清華紫光在政策助力下，一年來動作頻頻，大舉并購相關半導體廠商外，也不斷對臺灣放話，最新消息是在南亞科前總經理高啟全的牽線下，紫光正與 SK Hynix 洽談合作的可能，想藉此切入 NAND Flash 市場。
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紫光 SK Hynix
動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價持續破底，DDR3 4Gb顆?，F貨均價已跌破2美元大關，達1.96美元，創歷史新低價。
DRAM市場庫存問題依然嚴重，DRAM現貨價如預期持續滑落，據市調機構集邦科技調查，DDR3 4Gb顆粒現貨均價滑落至1.96美元，創下歷史新低價。
第4季來DDR3 4Gb顆粒現貨均價下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。
南亞科預期，DRAM價格可望逐步趨于穩定，第4季產品價格將較第3季微幅下滑。
只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守，表示目前市場已
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DRAM 海力士
郭崔會即將登場，據SK集團透露，SK集團會長崔泰源即將來臺與鴻海董事長郭臺銘相見歡，且時間就在9月初，外界揣測透過此次會面，雙方將會在業務上邁大步，合作范圍可望一路由半導體、興建智慧工廠，擴展到共同開拓印度市場。
今年年初，鴻海集團宣布與SK C&C聯手，打造全新的IT服務合作公司，前進大陸市場，為鴻海和SK集團的合作揭開序幕，如今雙方的合作又將推出升級版。
據悉郭、崔二人系在瑞士每年舉行的世界經濟論壇(達沃斯論壇)上結緣，兩人相談甚歡，當時，郭臺銘立馬提議買下崔泰源手中的SK C
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鴻海 SK
昨日南韓半導體廠SK 海力士才發布史上最大擴產計畫，隔天三星即宣布新廠下個月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場正式進入新一輪的軍備競賽。
三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產線過去幾個月已進行過試產，年底將全面啟用。
另外，三星目前在平澤市還有一半導體廠正在興建，三星計畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對單一半導體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來十年內將投
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三星 海力士
全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴產，長期將再度使得產業陷入供過于求。
外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因為大規模的支出可能導致供給過剩，或引爆價格戰，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業者都將不利。
受市場憂心SK海力士大舉擴產影響，南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
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海力士 DRAM
南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業SanDisk不打不相識，海力士周三宣布，與美國同業SanDisk的官司已在庭外達成和解，與此同時，雙方還將擴大專利合作，正式成為伙伴關系。
SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機密泄漏給海力士，但在雙方達成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進一步就專利授權取得新協議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權利金，并供應DRAM予SanDisk，時間將持續至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士 SanDisk
南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產階段，預計9月開始對客戶出貨。
快閃記憶體量產在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據日經新聞報導，海力士將優先推出固態硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產品明年才會投產。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營業利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士 NAND
過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現晶片至晶片間連接。
圖1：HBM模組橫截面示意圖
(來
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海力士 存儲器
過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現晶片至晶片間連接。
圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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海力士 存儲器
記憶體大廠整軍經武，準備展開新一波大戰!據傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉進新制程，拉高戰力。
韓媒etnews 6日報導，記憶體大廠爭相量產3D NAND Flash，新制程和傳統NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據了解，由2D轉進3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設備。據了解，三星最早量產3D
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SK 海力士 DRAM
三星移動終端受挫，但是呢人家在DRAM領域悶聲發大財。
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三星 SK 海力士
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