SK海力士已量產HBM3E，并計劃2026年大規模量產HBM4

2月3日消息，據《韓國商報》報道，在近日的“SEMICON 韓國 2024”展會上，SK海力士副總裁Chun-hwan Kim透露，該公司HBM3E內存已經量產，并計劃在 2026 年開始大規模生產 HBM4。

Chun-hwan Kim表示：“隨著AI計算時代的到來，生成式人工智能（AI）正在迅速發展，市場預計將以每年35%的速度增長。”而生成式AI市場的快速增長則需要大量更高性能的AI芯片來支持，這也將進一步推動對于更高帶寬的內存芯片的需求。

早在去年8月21日，SK海力士就宣布其開發出的HBM3e DRAM已經提供給英偉達（NVIDIA）和其他客戶評估，并計劃在2024年上半年量產，以鞏固其在 AI 內存市場的領導地位。現在，Chun-hwan Kim宣布，該公司HBM3E內存已經正式量產。

據介紹，SK海力士的HBM3e在 1024 位接口上擁有9.6 GT/s 的數據傳輸速率，單個 HBM3E 內存堆棧可提供 1.2 TB/s 的理論峰值帶寬，對于由六個堆棧組成的內存子系統來說，帶寬可高達 7.2 TB/s。不過，該帶寬是理論上的。例如，英偉達（Nvidia）的 H200所集成的HBM3e內存僅提供高達 4.8 TB/s的傳輸速率，可能是出于可靠性和功耗方面的考慮。

隨著人工智能和高性能計算（HPC）行業的需求持續增長，因此具有2048位接口的下一代HBM4內存成為各家內存大廠發力的重點。

Chun-hwan Kim明確表示，SK海力士將在 2026 年開始生產HBM4，并聲稱這將推動人工智能市場的巨大增長。他認為，除了向下一代轉型之外，重要的是要認識到HBM行業面臨著巨大的需求。因此，創建一個既具有無縫供應又具有創新性的解決方案更為重要。Chun-hwan Kim認為，到 2025 年，HBM 市場預計將增長 40%，SK海力士已盡早定位以充分利用這一市場。

同樣，美光和三星也計劃在2026年量產HBM4。

據美光介紹，HBM4 將使用 2048 位接口，可以將每個堆棧的理論峰值內存帶寬提高到 1.5 TB/s 以上。為了實現這一目標，HBM4 需要具有約 6 GT/s 的數據傳輸速率，這將有助于控制下一代 DRAM 的功耗。同時，2048 位內存接口需要在內插器上進行非常復雜的布線，或者僅將 HBM4 堆棧放置在芯片頂部。在這兩種情況下，HBM4 都會比 HBM3 和 HBM3E 更昂貴。

三星內存執行副總裁 Jaejune Kim 在與分析師和投資者舉行的最新財報電話會議上也表示：“HBM4 正在開發中，預計 2025 年提供樣品，2026 年實現量產 。 ” “在生成式 AI 的推動下，對定制 HBM 的需求不斷增長，因此我們不僅開發標準產品，而且還通過添加邏輯芯片為每個客戶開發性能優化的定制 HBM。詳細規格正在與關鍵產品討論顧客。”

編輯：芯智訊-浪客劍