GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業電源，可以實現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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GaN FET SiC
開關穩壓器使用占空比來實現電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時間(TON)與整個周期時長（關斷時間(TOFF)加上導通時間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡單關系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說明中，這些并不是決定性因素。開關穩壓器的占空比由各自的開關穩壓器拓撲決定。降壓型（降壓）轉換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對于升壓型（升壓）轉換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關系僅適用于連續導通模式(CCM)。在這個模式下，電感電流在時間段T
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CCM TON MOSFET
大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是，電力電子行業中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時，近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮GaN晶體管的優勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現更高的電流操作，從
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MOSFET
開關頻率優化一般來講，開關頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進負載瞬態響應。但是，開關頻率更高也意味著與交流相關的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來限制熱應力。目前，對于 ≥10A的輸出電流應用，大多數降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。 對于<10A的負載電流，開關頻率可高達幾MHz。每個設計的最優頻率都是通過仔細權衡尺寸、成本、效率和其他性能參數實現的。輸出電感選擇在同步降壓轉換器中，電感峰峰值
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MOSFET DCE ESR MLCC
增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統、DC/DC轉換器（硬開關和諧振式）和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
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MOSFET QRR QG
為何使用開關模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開關模式而非線性模式下運行。這意味著，當晶體管導通并傳導電流時，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關斷并阻止高電壓時，電源路徑中幾乎沒有電流。因此，半導體晶體管就像一個理想的開關。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線性穩壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開關模式同步降壓電源通?？蓪崿F90%以上的效率，而線性穩壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
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MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
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MOSFET FOM
隨著電動汽車（EV）數量的增加，對創建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據聯合充電系統和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
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EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
領先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協議，益登科技是總部位于臺灣的半導體產品主要分銷商和解決方案供應商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產品推向亞洲市場，為包括電動汽車、電池充電、IT基礎設施、可再生能源和電路保護等高增長應用領域的客戶提供產品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場正在迅速崛起，急需采用能夠實現新產品差異化的新技術。益登的
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SiC 電動汽車
可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業面臨的又一個新發展機遇，可穿戴設備經歷了前些年從概念火爆到實際產品大量普及的過程之后，行業前景一直穩步成長。據統計，2019年全球可穿戴技術產品市場的規模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續爆發雖然2020年全球經歷了嚴重的新冠疫情影響，部
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MOSFET VR MR CGM IDC 202009
1 無線基站羅姆（ROHM）針對無線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關、低導通電阻的特性，即使在高溫環境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開關損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產品，特點是導通
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耐高壓 MOSFET DC/DC 202009
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術，該技術通過提高VCSEL的輸出功率，進一步提高了空間識別和測距系統（TOF系統*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產品和用來驅動光源的MOSFET產品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產品之間的布線長度（寄生電感*3）無意中會影響光源的驅動時間和輸出功率，這就對實現高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來了局限性。ROHM此項新技術的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個模塊
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MOSFET VCSEL TOF AGV
一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開關的原邊控制開關電源（PSR），采用PFM 調頻技術，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環路，穩定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻，實現低損耗可靠啟動。同時，該芯片具有可調節線性補償功能和內置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產品應用可廣泛應用于AC
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MOSFET PSR IC RFM
目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據各大咨詢機構統計，碳化硅在電源的功率因數校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
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安森美 SiC 碳化硅
羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
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MOSFET 碳化硅 UPS
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