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        sic mosfet 文章 最新資訊

        Nexperia 推出行業領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

        • 近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場,包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源。Nexperi
        • 關鍵字: Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

        CISSOID與國芯科技簽署戰略合作協議

        • 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上,公司與湖南國芯半導體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰略合作協議,將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發,充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢,并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來,寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而,在各類應用中
        • 關鍵字: IGBT  SiC  GaN  

        功率MOSFET的參數那么多,實際應用中該怎么選?

        • 功率 MOSFET也有兩年多時間了,這方面的技術文章看了不少,但實際應用選型方面的文章不是很多。在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
        • 關鍵字: MOSFET  功率MOSFET  

        SiC MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著

        • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過,這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善,特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低,這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果,市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高,對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發機構和廠商下大力氣滿足市場要求,進一步改進MOSFET/ IGBT產品,但在某些時候,收益遞減
        • 關鍵字: SiC MOSFET  意法半導體  

        減慢開關轉換時要謹慎

        • 開關調節器中的快速開關瞬變是有利的,因為這顯著降低了開關模式電源中的開關損耗。尤其是在高開關頻率時,可以大幅提高開關調節器的效率。但是,快速開關轉換也會帶來一些負面影響。開關轉換頻率在20 MHz和200 MHz之間時,干擾會急劇增加。這就使得開關模式電源開發人員必須在高頻率范圍內,在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外,ADI公司提出了創新的Silent Switcher?技術,即使是極快的開關邊沿,也可能產生最小電磁輻射。圖1.對開關模式電源進行開關轉換,在開關節點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
        • 關鍵字: 開關  MOSFET  

        ST進軍工業市場,打造豐富多彩的工業樂園

        • 近日,意法半導體(ST)在華舉辦了“ST工業巡演2019”。在北京站,ST亞太區功率分立和模擬產品器件部區域營銷和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業市場的特點,并介紹了ST的產品線寬泛且通用性強,能夠提供完整系統的支持。1 芯片廠商如何應對工業市場少量多樣的挑戰工業領域呈現多樣、少量的特點,需要改變消費類電子大規模生產的模式,實現少量、高質量的生產。具體地,工業的一大挑戰是應用的多樣化,即一個大應用下面通常有很多小的子應用,所以產品會非標準化,即一個產品只能針對某一類小應用/小客戶的需
        • 關鍵字: 電機  MCU  電源  SiC  

        ROHM開發出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

        • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發的系列產品采用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝(TO-247N)相比,開關損耗可降低約35%,非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外,羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
        • 關鍵字: SiC  MOSFET  

        中歐“大咖”齊聚深圳,共話第三代半導體發展

        • 最近,由深圳市科學技術協會、坪山區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業高管、投資精英等近200名代表參會,圍繞第三代半導體技術創新、產業發展、國際合作進行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產化替代進程,助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區科技創新局局長黃鳴出席論
        • 關鍵字: 碳化硅  二極管  MOSFET  

        Diodes公司推出微型車用 MOSFET,可提供更高的功率密度

        • Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ,兩者均為符合車用規范的 MOSFET,采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區域,可在直流對直流 (DC-DC) 轉換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時的 RDS(ON) 標
        • 關鍵字: MOSFET  汽車  

        科銳宣布與德爾福科技開展汽車SiC器件合作

        • 近日,科銳宣布與德爾福科技(Delphi Technologies PLC)開展汽車碳化硅(SiC)器件合作。
        • 關鍵字: 科銳  德爾??萍?/a>  SiC  

        SiC: 為何被稱為是新一代功率半導體?

        •   王?瑩?(《電子產品世界》編輯,北京?100036)  SiC(碳化硅)作為第三代半導體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導體上顯出優勢。據SiC廠商羅姆基于IHS的調查顯示,2025年整個市場規模將達到約23億美元。在應用中,在光伏和服務器市場最大,正處于發展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用?! 〔贿^,制約SiC發展的關鍵是價格,主要原因有兩個:襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應地下降,羅姆等公司已經有6英
        • 關鍵字: 201909  新一代功率半導體  SiC  

        針對高耐用性和可靠性電源需求,意法半導體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器

        • 中國,2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發布高壓功率轉換器,集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET,使離線電源兼備寬壓輸入與設計簡單的優點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓,無需傳統垂直堆疊FET和相關無源元件,即可實現類似的電壓處理能力,可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉換器內置漏極限流保護功能,MOSFET包含一個用于過溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常見開關式電源拓撲,包括原邊或副
        • 關鍵字: 電源  意法半導體  擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器  

        SiC將達23億美元規模,技術精進是主攻方向

        • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導體上顯出優勢。在應用中,在光伏和服務器市場最大,正處于發展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過,制約SiC發展的,最主要的是價格,主要原因有兩個,一個是襯底,一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應地下降,ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面,眾廠商競爭
        • 關鍵字: SiC  MOSFET  

        華為強力掃貨 手機、服務器用MOSFET急單聲聲催

        • 中美貿易戰戰火延燒,華為禁令事件已經讓大陸業者火速要求邏輯IC供應鏈緊急備貨,熟悉功率元件業者透露,除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應鏈以及臺系邏輯IC供應體系外,瘋狂掃貨力道已經蔓延到功率基礎元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
        • 關鍵字: 華為  MOSFET  中美貿易戰  

        現代IGBT/MOSFET柵極驅動器提供隔離功能的最大功率限制

        •   Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司(德國 慕尼黑)  摘要:通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能?! £P鍵詞:IGBT; MOSFET; 柵極驅動器;耐受性;隔離? ? &nb
        • 關鍵字: 201905  IGBT  MOSFET   柵極驅動器  耐受性  隔離  
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