深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司 Power Integrations 近日發布已通過AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關IC,新器件適合降壓或非隔離反激式應用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET,可為連接到高壓母線的電動汽車子系統提供簡單可靠的電源,這些子系統包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統。這種表面貼裝器件不需要散熱片,只需要很少的外圍元件,而且占用的PC
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IC MOSFET
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅動器的新一代引腳兼容升級產品;新款HIP2210提供三電平PWM輸入,以簡化電源和電機驅動器設計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產品堅固耐用,可為鋰離子電池供電的家用和戶外產品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅動器供電。HIP221x驅動器專為嚴苛工作條件下的
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MOSFET UPS PWM
寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點,由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于......
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安世 GaN MOSFET
中國新能源汽車電驅動領域高科技公司臻驅科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅科技”)與全球知名半導體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布在中國(上海)自由貿易區試驗區臨港新片區成立“碳化硅技術聯合實驗室”,并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅(Si)功率元器件相比,碳化硅(SiC)功率元器件具有傳導損耗、開關損耗*2小、耐溫度變化等優勢,作為能夠顯著降低損耗的半導體,在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來,臻驅科技和羅姆就采
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MOSEFT SiC
我國正在大力進行新基建,工業物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時,SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起,奠定了堅實的發展基礎。充電樁、工業物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導體)亞太區功率分立器件和模擬產品部區域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪,分享了對工業市場的預測,并介紹了ST的新產品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產品部 區域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業電源市場
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電源 SiC IGBT GaN
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”,非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統和工業設備的電源。對于功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短,兩者之間存在著矛盾權衡關系,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。此次開發的新產品,通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3,改善了二者之間的矛盾權衡關系,與以往產品相比,在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約4
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EV OBC MOSFET
汽車電動化領域的領先供應商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領軍企業——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術的首選供應商,并就電動汽車領域電力電子技術簽署了開發合作協議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術事業部執行副總裁
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SiC 電氣
隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸,不足以全面支撐新一代信息技術的可持續發展......
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寬禁帶 半導體 SiC GaN
Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝,可提升效率,大幅節省各種電源轉換與控制產品應用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內整合雙 MOSFET,尺寸僅 3.3mm x 3.3mm,相較于典型雙芯片解決方案,電路板空間需求最多減少 50%。此節省空間的特點,有利于使用負載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產品應用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉換器與半橋電源拓撲,以縮小功率轉換器解決方案的尺寸。P
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MOSFET PoL
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出柵驅動器開關IPD[1]“TPD7107F”。該產品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷,并計劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級低導通電阻N溝道MOSFET[2],適用于負載電流的高側開關。作為一種電子開關,這種新型IPD能夠避免機械繼電器的觸頭磨損,有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗,同時還提供免維護功能。通過提供增強功能(自我保護功能和輸出到微控制器的各種內置診斷功能)以支持車載ECU所需的高可
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柵極驅動器 MOSFET IPD ECU
英飛凌科技股份公司進一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產品陣容?,近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力,可針對要求高效率的高功率密度應用提供增強的穩健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準電池供電應用,包括電動工具、電池管理系統和低壓驅動裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項,有助于選擇應對設計挑戰的理想功率器件。此外,
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電池 MOSFET
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。新器件符合AEC-Q101標準,適合汽車應用,可作為DPAK MOSFET的理想替代產品,在保證性能的基礎上,將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇,導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構,由Nexperia率先應用,已在汽車等要求
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Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導通電阻RDS(on)半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia發布了一系列MOSFET產品,采用超小型DFN0606封裝,適用于移動和便攜式產品應用,包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on),采用常用的0.35 mm間距,從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節省了超過36%的空間。由于采
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?Nexperia MOSFET
作為碳化硅技術全球領先企業的科銳公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合,適用于更廣闊的工業應用,助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用,提供業界領先的功率效率。
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科銳 650V MOSFET 電動汽車
王? 瑩? (《電子產品世界》編輯)近期,多家公司發布了碳化硅 (SiC)方面的新產品。作為新興 的第三代半導體材料之一,碳化硅 具備哪些優勢,現在的發展程度 如何?不久前,碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ,值此機會,電子產品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統事 業部大中華區開關電源應用高級市 場經理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系 碳化硅MOSFET是一種新器 件,使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構,例如電流連續模 式
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202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
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