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	sic mosfet
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        sic mosfet 文章
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        Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業內最佳水平
        
                                                            
          
                    	
        • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V 
E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 
%，為通信、工業和企業級電源應用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業內最低水平，該參數是600 V 
MOSFET在功率轉換應用中的關鍵指標 (FOM)。　　Vishay
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        • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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        穩健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 
這些機電系統
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        • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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        Vishay業界領先車規產品將在2019 Automotive World日本展上悉數亮相
        
                                                            
          
                    	
        • 　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 
股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive 
World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規產品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think 
Vishay”為主題展示各種車規產品，包括符合并優于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產品。　　Vishay亞
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        • 關鍵字：
                        Vishay  轉換器  MOSFET                          
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        第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優點？
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。　　然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。　　實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
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        • 關鍵字：
                        半導體  SiC  GaN                          
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        北汽新能源聯手羅姆半導體，推動SiC產品技術研發
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 
600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產品技術聯合實驗室。北汽新能源執行副總經理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場簽署了合作協議書，并共同為SiC產品技術聯合試驗室揭牌。　　　　該聯合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產品進行全面合作開發。　　　　近年來，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經被廣泛應用在新能源
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        • 關鍵字：
                        北汽新能源  羅姆半導體  SiC                          
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        意法半導體高效超結MOSFET瞄準節能型功率轉換拓撲
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計。　　針對軟開關技術優化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 
nC的柵極電荷量(Qg)可實現高開關頻率，這兩個優點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結構中也有良好的能效表現。　　此外，意法半導體最先進的M6超結技術將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
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        • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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        羅姆為汽車、工業領域提供更多SiC解決方案
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 羅姆（ROHM）作為一個日本企業，很早便打入歐洲市場，豐富的行業經驗、值得信賴的產品品質和口碑讓歐洲本土企業成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
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        • 關鍵字：
                        ROHM  SiC  羅姆                          
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        使用SiC技術攻克汽車挑戰
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL 
JU和ESI協同為該項目提供資金支持，實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補的研發活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia 
Micro e Nano 
Sistemi)牽頭，20個項目合作方將在技術研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開為期36個月的開發合作。本文將討論本項目中與汽車相關的內容，重點介紹有關SiC技術和封
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        • 關鍵字：
                        SiC  WInSiC4AP                          
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        ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現業界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調查數據)　　近年來，由于SiC產品的節能效果優異，以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發展，系統呈高電壓化發展趨勢，1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而，受
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        • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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        “2018 ROHM科技展”：走進智能“芯”生活！
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　全球知名半導體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時，將以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，展示羅姆在汽車電子和工業設備等領域的豐富產品與解決方案，以及模擬技術和功率元器件等技術亮點。同時，將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機驅動、DC/DC轉換器技術、傳感器技術以及旗下藍碧石半導體的先進技術等主題，由羅姆的工程師帶來六場技術專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現場，與羅姆的技術專家進行面對面的交流和切磋
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        • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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        基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創新中心聯合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行。　　本屆高峰論壇和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟達成戰略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業領袖同臺論劍，給現場觀眾帶來了一場第三代半導體產業的盛宴。　　立足國際產業發展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發展的現狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰，以及面向未來的戰略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
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        • 關鍵字：
                        基本半導體  3D SiC JBS二極管  4H 碳化硅PIN二極管  第三代半導體  中歐論壇                          
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        SiC和GaN系統設計工程師不再迷茫
        
                                                            
                                        
          
                    	
        •    SiC和GaN MOSFET技術的出現，正推動著功率電子行業發生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉換系統的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的。　　在現實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現，既能實現低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開關頻率，使得這些新技術既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。　　比如一名設計工程師正在開發功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動控制器，或者正在設
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        • 關鍵字：
                        SiC  GaN                          
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        高功率單片式 Silent Switcher 2 穩壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　隨著汽車中電子系統數量的成倍增加，車內產生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發射做了嚴格的限制。由于其本身的性質，開關電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化 
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        • 關鍵字：
                        MOSFET，LT8650S                           
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        Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC 
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
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        • 關鍵字：
                        Power Integrations  MOSFET                          
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        Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC 
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
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        • 關鍵字：
                        Power Integrations  MOSFET                          
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