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TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
關鍵字： MOSFET FOM

耦合電感技術的優勢

本文通過分析耦合電感技術優勢，比較耦合電感技術與傳統電感技術的設計對比，利用耦合電感提高系統性能。
關鍵字：耦合電感傳統電感電源拓撲電流紋波 FOM 201505

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