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        TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        MOSFET  FOM                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        耦合電感技術的優勢
        
                                                            
                                        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
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