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        減少開關損耗:儒卓力提供來自羅姆的節能SiC-MOSFET

        作者: 時間:2020-08-26 來源:電子產品世界 收藏

        羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款,與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比,可最大限度地提高開關性能,并將開關損耗降低多達35%。SiC-特別適合在服務器電源、系統、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節能使用。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202008/417589.htm

        RUT099. ROHM SiC MOSFET_1.jpg

        通過使用TO-247-4L封裝,驅動器和電流源引腳得以分離,從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗,對于必須提供不間斷電源的高性能應用尤其具有吸引力。特別是隨著先進AI和IoT的發展,對于云服務的需求不斷增長,數據中心面臨著在降低功耗的同時還要提高容量和性能的挑戰。

        配套評測板(P02SCT3040KR-EVK-001)帶有針對驅動SiC器件而優化的柵極驅動器IC (BM6101FV-C)。多個電源IC和分立組件有利于應用評測和開發。由于兼容兩種封裝類型(TO-247-4L和TO-247N),可在相同的條件下進行評測。這個評測板可用于升壓電路、2級逆變器和同步整流降壓電路中的雙脈沖測試和組件評測。



        關鍵詞: MOSFET 碳化硅 UPS

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