Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000 碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
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Littelfuse MOSFET
高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產業化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰略合作伙伴關系，將共同開展研發項目，推動碳化硅功率器件在工業各領域尤其是新能源汽車領域實現廣泛應用。 CISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業，也是支撐高端制造業的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導體解決方案的領導者，專為極端溫
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CISSOID SiC
碳化硅(SiC)功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業的發展具有重要意義。作為最先實現產業化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動態性能，基本半導體自主研發的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優越性能廣受市場追捧。 SiC JBS產品優勢 作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個數量級。更重
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基本半導體 SiC
隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環節的不足，在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數家客戶穩定投片進行量產，在線生產良率連續兩月高于99.5%。 同時為了協助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
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宜特 MOSFET
全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國家會展中心(上海)舉行的第二十屆中國國際工業博覽會上首次亮相。在為期5天的展會上，羅姆展出了節能高效的SiC功率元器件以及“機器健康檢測”為主的工業設備解決方案，吸引了眾多業內外人士駐足交流。 羅姆展臺掠影(展位號：6.1H A245) 近年來，羅姆向工業市場不斷進取，凝聚在消費電子設備和汽車相關領域培育的技術，致力于節能、安全、舒適、小型化的革新性產品的開發，并通過高品質、穩定供應的安心生產體制，持續不斷為工業設備發展做貢獻。
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羅姆 SiC 功率元器件
1 引言
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MOSFET 并聯 電流 分配
隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術，現已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規模經濟的關系，SiC或GaN晶體管和二極管在經濟上也越來越具有吸引力。 功率半導體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節省能源。與傳統的硅器件相比，SiC二極管可以實現短得多的反向恢復時間，從而實現更快的開關。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。就其本身
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X-FAB SiC
電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力，用電機驅動車輪行駛，符合道路交通、安全法規各項要求的車輛由于對環境影響相對傳統汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來在國家環保政策的激勵下，在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下，電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場，中國新能源汽車業近年來快速發展令世界矚目。據Goldman Sachs報道，2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據中國的“一車一樁”計劃，電動汽車充電樁總數在2020年將達480萬個，與現
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安森美 IGBT SiC
推出電動汽車（EV）的通告已經鋪天蓋地地席卷了全球。這些標題的吸睛點和不同點在于電動汽車遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛情況和條件下，電動車輛皆可與基于內燃機的車輛媲美。
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電動汽車 SiC 傳輸電力
在電動和混合動力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點以消除空氣。通常，在高壓電池系統中，需要三個接觸器：一個用于兩個主要電池導體，另一個更小的版本用于預充電功能。傳統的電池斷開電路圖如圖1所示。 電動汽車制造商長期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開問題。功率半導
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MOSFET，混合動力
全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術研討會”，屆時將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市，面向青年工程師分享先進的電源設計和應用技術。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費報名通道已開啟! 一年一度的“ROHM技術研討會”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動足跡遍及全國各地，是羅姆與業界友人交流互動、分享經驗的良好平臺。今年，根據各個城市不同的行業發展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
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羅姆 SiC
MOSFET已經是是開關電源領域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
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開關電源 BJT MOSFET
在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱
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MOSFET 數據 電感器 連續電流
本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解，希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產生，所以，三極管一定不
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MOSFET 電源
在電子電路設計中，散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
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大功率電 MOSFET 功率耗散
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