- 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據NAND Flash的物理結構和存儲特點，增加U-
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實現 啟動 Flash NAND U-Boot
- 日本半導體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內存事業表現亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統芯片事業拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。
東芝半導體事業的營業利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動，加上 NANDFlash均價跌幅趨緩，東芝半導體事業表現遠超過預期。小幅虧損的系統芯片事業亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
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東芝 NAND
- VLSI提高IC預測，但是該公司看到雖然很多產品供不應求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。
同時由于經濟大環境可能對于產業的影響，目前對于產業抱謹慎的樂觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。
VLSI在它的最新看法中發現各種數據是交叉的，按VLSI的最新預測，2010年IC市場可能增長30%，但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導體設備增長96%。
而在之前的預測中認為2010年全球IC市場增長28.1%，其它預測尚未改變。
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芯片制造 NAND
- 無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。
要感謝產業的很快復蘇，預測2010年全球閃存市場已經很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應鏈部分卻遭受困境。
按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。
這是好的消息而壞消息在供應鏈中也開始傳了出來。
Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
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閃存 NAND NOR
- iPhone、iPad等蘋果i家族產品的熱銷，正引發連鎖反應。
7月28日，閃存企業SanDisk全球高級副總裁兼零售業務部總經理Shuki Nir在上海接受本報記者專訪時表示，蘋果產品的熱銷消耗了整個閃存芯片市場不少庫存，目前行業正處于供不應求的局面。
受此拉動，閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個靚麗的財季。
近期陸續出爐的最新一季財報顯示，在iPhone以及iPad的拉動下，閃存芯片近期需求及價格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當季的銷售
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NAND 閃存芯片 iPhone
- 據國外媒體報道，三星電子周五發布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業務大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。
在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創公司季度運營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發布的初步財報顯示，公司第
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三星電子 NAND 閃存芯片
- 未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰階段，在4x，3x節點時發現了許多問題。目前盡管EUV光刻己經基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發表此看法) 。另一位會議
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半導體制造 DRAM NAND
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產后，采用該產品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。
三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規格NAND Flash開發作業，并計劃于2011年投入量產。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產品將
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三星電子 NAND
- 三星和東芝公司已經宣布了一個合作計劃，旨在制定新規范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術，這比目前版本的NAND閃存接口技術快了十倍，這項技術將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產品例如SSD以及智能手機和消費電子產品。
三星和東芝公司目前供應NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業內具有相當大的話語權，這對他們的新規范計劃將非常有利。
三星上個月
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三星 NAND 30nm
- 日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發NAND Flash制程技術與產品外，爾必達將為飛索半導體代工生產NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發NOR Flash，并為其代工的可能性。
據悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術的授權，該項技術乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術為基礎。此外，爾必達計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產高階NAND Flash，而雙方亦將各自進行客戶營銷。
路透(Reut
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爾必達 NAND
- 三星和東芝今天共同宣布，雙方將協力支持新一代高性能NAND閃存技術：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規范。兩家公司將支持這一規范成為行業標準，被業界廣泛接受使用。
最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規范則進一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。
高速閃存接口的優勢不言而喻，未來將
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三星 NAND 東芝
- 閃存業兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規范的制訂工作，這種新一代閃存標準規范的接口數據傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規范使用的閃存芯片存儲密度參數。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應用。
現有的DDR1.0版本NAND閃存接口規范只是將DDR數據傳輸接口與傳統的單倍數據傳輸率NAND單元結合在一起使用，接口數據傳輸率僅133Mbit/s
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三星 NAND
- 據了解，日商爾必達已決定來臺設立研發中心，且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業者進一步合作。
據悉，爾必達與臺灣創新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業者聯合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經濟部遞出在臺設立研發中心的初步計劃書，經濟部正進行審查中。
官員透露，爾必達來臺設立研發中心的計劃相當成熟，已進入實質合作內容洽談中，研發中心切入的產品并非一般的動態存儲器
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TIMC NAND DRAM
- 全球半導體市場需求成長已優于2008年秋季金融危機爆發前的水平，2010年5月半導體銷售額續創新高。就地區別來看，含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態值得關注。
美國半導體產業協會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統計數據指出，金融危機爆發前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷售額達2
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DRAM NAND
- 編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經過半，所以業界都會關心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導體業可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設備業看似今年的增長幅度達90%，但是許多設備公司仍是興奮不起來，因為2010年業績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。
SEMICON West美國半導體設備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導體設備業有點紅火。
按市場調研公司 VLSI預計，2010年半導體設備業增長96%
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半導體設備 NAND DRAM
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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