- 據臺灣媒體報道，近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統籌管理，張汝京等于找到了新舞臺。
臺灣媒體引述“內部人士”的話報道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面，但王寧國未有正面回應，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統籌管理。
據報道，中芯在張汝京時代，曾與成都、武漢等兩地方政府達成協議，成都市政府出資成立成
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 據國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數據顯示，第三季度全球NAND閃存市場業績強勁，東芝表現最為搶眼，營收環比增長近50%。
全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。
iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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東芝 NAND 閃存
- 東芝公司本周一發布了據稱為業內最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內建專用的控制器，并內含16個采用32nm制程技術制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。
這款內存模組產品裝備在便攜設備如iPod/智能手機等之上后，手機的存儲容量將實現倍增。比如采用單閃存模組設計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。
東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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東芝 NAND 嵌入式 閃存模組
- 兩大韓系內存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發展。
隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
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Samsung DRAM NAND
- 臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業五年內成本將面臨三大挑戰，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰，石油等原物料價格上漲引發的通膨，還有減碳增加的環保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業近中程的三大挑戰相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現貨價格水平，下游存儲器業者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。
近期DRAM現貨價格持續反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當有限，反倒是原本各界預期12月上旬
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南亞科 NAND DRAM
- 12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業五年內成本將面臨三大挑戰，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰，石油等原物料價格上漲引發的通膨，還有減碳增加的環保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業近中程的三大挑戰相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 據報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產能提高一倍直至達到臺積電的規模。
根據iSuppli的統計，去年全球芯片代工市場的產值為190億美元，而臺積電獨自占據了其中的100億美元。
三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內存和NAND閃存市場處于領先地位，但是他們在代工市場的收入卻只有可憐的幾億美元。三星發言人近日表示，三星已經決定擴大其代工產能，目標直指臺積電。
三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業務。三星一直強調
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬 是傳統閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續讀取速率，同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款
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三星 30nm NAND
- 北京時間12月2日消息，據國外媒體報道，《韓國先驅報》援引匿名消息人士的話報道稱，三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業務。
消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業務，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業務。
三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發布第三季度財報時，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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三星 NAND 邏輯芯片 DRAM
- 近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨。《韓國時報》還報道稱蘋果經常采取等待閃存由于供過于求而出現價格下降時，才采購少量閃存的采購策略，這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現積壓現象。
由于海力士與三星兩家廠商的閃存業務對蘋果依賴甚大，因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協約價下調4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
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三星 NAND
- 三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬是傳統閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續讀取速率，同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款三
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三星 30nm NAND
- 據悉，包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內建配備，加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉強，帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測產能吃緊現象將延續到明年1、2月。
NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場，并與創見合作銷售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場，只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測廠產能已多年未曾擴充，因此8、9月后已大量將
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SanDisk NAND 封測
- 臺灣DigiTimes報道，數家內存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態存儲產業共同標準，與會者們預計隨著制程逐漸過渡到20nm，NAND閃存價格將出現大幅下跌，最終實現一個可負擔的水平，不過這一時間點被認為是2011年以后。
此外，來自大陸的工業代表敦促盡快發展和規范SSD的規格，以解決來自國際供應商控制的核心技術。
去年Fusion-io公司首席科學家Steven Wozniak曾表示，他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低，同時性能更高，也不需
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NAND SSD
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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