- 為中芯解開多年無法突破的經營困境，而與臺積電未來如能合作，將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。
11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創辦人、執行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執行董事兼集團總裁、首席執行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。
中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無償授予臺積電8%的中芯股權，且臺積電另可在3年內以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。
這件事情所以在臺灣
- 關鍵字：
中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規格數字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節信 息。這樣，鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創立有一家專門負責NAND業務的IM閃存技術公司。
除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
- 關鍵字：
鎂光 NAND 閃存
- 據華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現，將提升資本支出并擴張產能。
海力士執行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場已走出過去3年的谷底，前景相當穩定。
隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術水平，及擴張目前的NAND
- 關鍵字：
Hynix 存儲器 NAND
- 沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產業后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現小幅吃緊狀態，目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當樂觀，原本外界預期12月合約價格會開始下跌，反應淡季效應，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現將優于NAND Flash市場。
存儲器模塊廠一致看好2010
- 關鍵字：
南亞科 DRAM 存儲器 NAND
- 隨著薄型電視等產品需求呈現增長，東芝(Toshiba)等日本半導體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續進行生產，有別于去(2008)年年底動輒停工近20天的嚴峻局面。
報導指出，東芝旗下生產NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產線停工達13天，惟因今年春天以后智慧型手機訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續進行生產不停工。
報導指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環保車的微控制器(MCU)
- 關鍵字：
Toshiba NAND MCU
- 據國外媒體報道，日本國內的半導體巨頭重新開啟了增產投資的大門。東芝公司一直生產手機等設備上使用的閃存，并在該領域排名全球第二，該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產能，增產程度約為4成。爾必達公司主要生產PC的內存，該公司計劃在2010財年向主要生產廠投資600億日元，將出貨量提高3成。
自今年夏天以來，全球半導體市場呈現堅挺的走勢，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復。全球經濟危機后，日本IT業大公司一改過去的謹慎投資的態度而變為積極投資，以期待與韓國三星公司展開競爭。
- 關鍵字：
東芝 NAND
- 自2009年夏季起全球半導體市場需求回溫，日本半導體大廠增資動作亦轉趨積極。日本經濟新聞報導指出，東芝(Toshiba)將與美國業者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業，提高約4成產能;爾必達(Elpida)亦計劃在2010年度中，投資600億日圓于主力據點，以增加3成出貨量。
報導指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導入尖端設備，此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業上的大舉投資。據悉，增設新生產線后，整廠生產規模將由26萬
- 關鍵字：
東芝 NAND
- 據國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產規模將擴大40%。
報道稱，東芝當前還計劃在2012年3月之前，為半導體產業投資總計5000億日元。市場調研公司iSuppli上周發布研究數據顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場業績強勁，東芝表現最為搶眼，營收環比增長近50%。
iSuppli的報告稱，全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。
- 關鍵字：
東芝 NAND 閃存芯片
- 據臺灣媒體報道，近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統籌管理，張汝京等于找到了新舞臺。
臺灣媒體引述“內部人士”的話報道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面，但王寧國未有正面回應，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統籌管理。
據報道，中芯在張汝京時代，曾與成都、武漢等兩地方政府達成協議，成都市政府出資成立成
- 關鍵字：
中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 據國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數據顯示，第三季度全球NAND閃存市場業績強勁，東芝表現最為搶眼，營收環比增長近50%。
全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。
iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
- 關鍵字：
東芝 NAND 閃存
- 東芝公司本周一發布了據稱為業內最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內建專用的控制器，并內含16個采用32nm制程技術制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。
這款內存模組產品裝備在便攜設備如iPod/智能手機等之上后，手機的存儲容量將實現倍增。比如采用單閃存模組設計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。
東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
- 關鍵字：
東芝 NAND 嵌入式 閃存模組
- 兩大韓系內存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發展。
隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
- 關鍵字：
Samsung DRAM NAND
- 臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業五年內成本將面臨三大挑戰，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰，石油等原物料價格上漲引發的通膨，還有減碳增加的環保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業近中程的三大挑戰相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
- 關鍵字：
臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現貨價格水平，下游存儲器業者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。
近期DRAM現貨價格持續反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當有限，反倒是原本各界預期12月上旬
- 關鍵字：
南亞科 NAND DRAM
- 12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業五年內成本將面臨三大挑戰，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰，石油等原物料價格上漲引發的通膨，還有減碳增加的環保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業近中程的三大挑戰相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
- 關鍵字：
臺積電 芯片代工 DRAM NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
