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美光 NAND 產品獲 HLDS 全球首款具有板載儲存的混合光驅采用

　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數據儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅 (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能，是針對個人計算機、DVD 播放器和藍光產品的綜合解決方案。　　美光的 25nm NAND 處理技術提供單一設備中8GB 儲存容量，滿足新應用
關鍵字：美光 NAND

Spansion能否卷土重來

　　高調宣布走出破產保護陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報，公司非GAAP調整后凈收入已經從2009年同期的2240萬美元上升至2740萬美元;GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財季相比，仍繼續保持著穩定的財務態勢。Spansion是否能夠卷土重來?業界一直存在頗多爭議之聲。日前，該公司企業營銷總監John Nation就公司發展策略、核心業務、技術趨勢等話題接受了專訪。　
關鍵字： Spansion NAND

三星、東芝制程競賽不止

　　NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱，在產出持續大幅增加下，10月上旬NAND Flash合約價再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達5~7%，低容量芯片價格則是幾乎持平，市場預期日前平板計算機和智能型手機 (Smart Phone)都內建高容量的NAND Flash存儲器，在年底圣誕節最后一波促銷熱潮之下，有機會提升NAND Flash市場的需求，彌補2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣相不佳的缺憾。　
關鍵字：三星 NAND

三星啟動64GB 3位元20納米NAND閃存批產

　　就在啟動32GB 20nm閃存生產線四個月后，三星確認目前已經啟動64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產。　　
關鍵字：三星 NAND 20納米

NAND Flash價格瀕臨成本線　靜待大廠減產

　　全球NAND Flash產業在高容量32Gb和64Gb芯片產能持續開出下，9月下旬合約價續跌，其中，32Gb芯片合約價下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價格已跌到相當接近各大廠成本線，若價格再跌，恐會讓NAND Flash廠產生虧損，接下來要看大陸十一長假后是否出現補貨需求，帶動NAND Flash價格止跌。　　模塊廠表示，近期NAND Flash產品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買氣受限于現貨價跌幅較深，通路商補貨意愿不高，但在NAND Flas
關鍵字： NAND DRAM

日元走強東芝稱仍有望實現芯片業務獲利

　　日本最大的芯片制造商——東芝周一表示，盡管日圓走強，但該公司有望實現其在截至明年3月的會計年度，芯片業務營業利潤達到12億美元的預估，因新的電子設備熱銷，提高了芯片需求。　　東芝芯片業務主管小林清志表示，因低質產品供應過多，最近NAND芯片現貨價格下降，但這對東芝的影響極小。　　NAND閃存芯片需求一直強勁，因受到智能手機和蘋果的iPad等移動設備暢銷所助。　　“整體需求強勁成長情況一直符合我們對2010會計年度的預期，而且我們預計中國國慶節，黑色星期五
關鍵字：東芝芯片 NAND

2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%

　　由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下，下半年手機成長幅度將領先各項電子產品。也由于智能手機的熱賣，帶動了相關 NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產品的成長。　　蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱賣，預估2010年手機出貨量將較2009年成長13%，達到13億支的規模，而智能手機市場扮演重要
關鍵字：智能手機 NAND

2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%

　　集邦科技表示，由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下，下半年手機成長幅度將領先各項電子產品。也由于智能手機的熱賣，帶動了相關 NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產品的成長。　　蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱賣，集邦科技預估，2010年手機出貨量將較2009年成長13%，達到13億支的
關鍵字： NAND 智能手機

蘋果效應不再 NAND閃存價格持續下滑

　　臺灣媒體報道，來自存儲芯片制造商的消息稱，盡管蘋果的iPhone和iPad銷售火爆，但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價格在9月份上半月的下滑。　　蘋果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單，但即便是這樣也很難推動NAND閃存價格的上漲，這倒是違背了此前出現的蘋果與NAND閃存之間的緊密聯系效應。之前蘋果產品的熱銷往往會導致NAND閃存市場的供不應求。　　然而現實是，目前各個渠道的閃存芯片需求依舊微弱，學生返校季和即將到來的內地十一黃金周也很難讓閃存價格反彈。　　更有悲觀的
關鍵字： NAND 閃存芯片

基于NAND閃存的文件系統YAFFS在嵌入式系統中的應用

基于NAND閃存的文件系統YAFFS在嵌入式系統中的應用,　目前，針對NOR Flash設計的文件系統JFFS/JFFS2在嵌入式系統中已得到廣泛的應用;隨著NAND作為大容量存儲介質的普及，基于NAND閃存的文件系統YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應用到嵌入式系統中。　　
關鍵字：系統 YAFFS 應用嵌入式文件 NAND 閃存基于

Gartner上調全球半導體營收預期至3000億

　　Gartner現在預計今年全球半導體營收將達到3000億美元，比去年增長31.5%。它之前預計今年半導體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內的消費者電子產品在半導體銷售中占大多數份額。手機出貨量持續增長將推動半導體營收的增長，而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。　　Gartner表示，盡管個人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%，幾乎達到420億美元，但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預
關鍵字：半導體 DRAM NAND

NAND Flash跌價深　上游大廠開始對模塊廠讓步

　　NAND Flash價格經歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節節攀高的情況下，態度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產業的唯一大補丸。　　近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
關鍵字：三星電子 NAND Flash

爾必達已與Spansion開發出4G NAND閃存

　　爾必達內存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡單的信元結構，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產該芯片。　　這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術來開發這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現有的以傳統浮動柵(floating gate)技術制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術可幫助生產較目前市場
關鍵字：爾必達 NAND

分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商

　　市場研究公司IC Insights日前預計，三星的芯片銷售額或將在2014年超越英特爾。　　基于廣泛的芯片產品及擴張計劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復合增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復合增長率僅為3.4%。基于此增長速率，IC Insights預計，三星的芯片銷售額
關鍵字：三星芯片 DRAM NAND

Intel鎂光生產出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片

　　Intel與鎂光公司已經成功生產出基于25nm制程技術的3位元型NAND閃存芯片產品，目前他們已經將有關的產品樣品送往部分客戶手中進行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。　　這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設計，一個存儲單元可存儲3位數據，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。　　這款產品的面積要比現有Intel與鎂光公司推
關鍵字： Intel 25nm NAND

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]