三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規范制定工作

　　閃存業兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規范的制訂工作，這種新一代閃存標準規范的接口數據傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規范使用的閃存芯片存儲密度參數。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應用。

　　現有的DDR1.0版本NAND閃存接口規范只是將DDR數據傳輸接口與傳統的單倍數據傳輸率NAND單元結合在一起使用，接口數據傳輸率僅133Mbit/s;而DDR2.0規范則會將接口數據傳輸率提升到400Mbit/s的水平，而眼下市面上常見的NAND芯片采用的多為SDR NAND接口規范，其數據傳輸率僅40Mbit/s。

　　上個月，兩家公司便已經參與到了由JEDEC固態技術協會牽頭的DDR2.0 NAND接口標準化工作中去。