三星明年將量產次世代NAND Flash

　　三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產后，采用該產品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。

　　三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規格NAND Flash開發作業，并計劃于2011年投入量產。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產品將全部采用Toggle DDR2.0技術。

　　Toggle DDR2.0 NAND Flash較既有的SDR NAND Flash信息處理速度40Mbps快10倍，達400Mbps，也較處理速度133Mbps的Toggle DDR1.0高速NAND Flash快3倍。

　　三星在量產的同時，為使此規格能成為市場標準，也向JEDEC申請標準登記，2011年初可完成登記作業。此外日本東芝(Toshiba)也決定將參與Toggle DDR2.0的標準化作業。

　　半導體事業部存儲器策略營銷副社長全東守表示，三星2009年11月初量產30奈米制程高速NAND Flash等持續主導高效能NAND Flash市場成長。未來搭載高速NAND Flash的4代智能型手機、平板計算機、固態硬碟(SSD)等各種產品的需求將會大幅增加，并帶動NAND Flash市場成長。