- 存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產業多數時間將處于缺貨的狀態，只要價格維持平穩，預計對于模塊產業絕對是好事，往年會是傳統淡季的第2季，2010年將會見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產業價格則預計會起起伏伏，整體而言，DRAM表現會優于NAND Flash產業。
威剛2009年進行高層人士調整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔任威剛總經理一職，與原有的總經理
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威剛 存儲器 NAND
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發現NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產業的反壟斷調查。
反壟斷監管單位聲明，針對計算機記憶芯片產業 (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關的價格操縱調查已經全部結束。
2007年1月，FTC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業進行調查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業名單。
韓國快閃記
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海力士 NAND DRAM
- 據華爾街日報(WSJ)報導，韓國公平貿易委員會(FTC)并未發現NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據，將結束為期將近3年的調查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關的操控價格調查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。
韓國FTC自2007年1月開始調查存儲器產業是否存在操控價格的不法行為，并調查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調查的廠商名稱。
存儲器產業近年來遭數個國家調查是否存在柯斷，近期
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Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
- 韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發現韓國或其他地區閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據。
該機構調查了四家NAND閃存制造商。在被調查的四家廠商中，兩家位于韓國，其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設備，包括數字音樂播放器、數碼相機和手機。
根據三星電子和東芝的說法，今年8月，美國司法部也結束了這樣的調查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。
市場調查公司iSuppli的數據顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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海力士 NAND 閃存芯片
- 據業者透露，韓國廠商生產的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩定性和耐用性方面不如現有兩位元型產品，不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據消息來源透露，這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區的市場發售，不過目前部分銷往美國市場的產品已經由于產品質量不穩定而遭到客戶的退貨。
據閃存控制芯片的廠商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術目前還處在初級發展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問題，因此需要3個月的時間對這種新產品進行充分的測試。
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NAND 閃存芯片
- 根據市場調研公司DRAMeXchange的最新統計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。
其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。
盡管受到季節性銷售規律的影響，NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩定?？紤]到一些芯片制造商將重點轉移到了工藝升級上，產能上或受影響，很多下游廠商已經開始存貨為即
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閃存 NAND
- 經歷了09年初的低糜，IC產業正逐步從危機中復蘇，觀望其2010年的發展趨勢，可以說是機遇與挑戰并存。本文將對于2010年電子產業市場的有利與不利因素分別敍述，供業界探討與分析。
10大機遇
1. IC行業的季節性需求好于預期。FBR分析師Craig Berger說：“亞洲芯片分銷商的最新訂單顯示，第4季度芯片銷售將環比下降4到8個百分點，比起上個月我們調查得出的環比下降10個百分點情況更好，這是由11月份的工業、消費和智能手機芯片的強勁需求推動的的出貨量下降4%-8%，跌幅較
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Altera LED IC NAND
- 為中芯解開多年無法突破的經營困境，而與臺積電未來如能合作，將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。
11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創辦人、執行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執行董事兼集團總裁、首席執行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。
中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無償授予臺積電8%的中芯股權，且臺積電另可在3年內以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。
這件事情所以在臺灣
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規格數字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節信 息。這樣，鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創立有一家專門負責NAND業務的IM閃存技術公司。
除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
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鎂光 NAND 閃存
- 據華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現，將提升資本支出并擴張產能。
海力士執行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場已走出過去3年的谷底，前景相當穩定。
隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術水平，及擴張目前的NAND
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Hynix 存儲器 NAND
- 沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產業后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現小幅吃緊狀態，目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當樂觀，原本外界預期12月合約價格會開始下跌，反應淡季效應，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現將優于NAND Flash市場。
存儲器模塊廠一致看好2010
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南亞科 DRAM 存儲器 NAND
- 隨著薄型電視等產品需求呈現增長，東芝(Toshiba)等日本半導體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續進行生產，有別于去(2008)年年底動輒停工近20天的嚴峻局面。
報導指出，東芝旗下生產NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產線停工達13天，惟因今年春天以后智慧型手機訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續進行生產不停工。
報導指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環保車的微控制器(MCU)
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Toshiba NAND MCU
- 據國外媒體報道，日本國內的半導體巨頭重新開啟了增產投資的大門。東芝公司一直生產手機等設備上使用的閃存，并在該領域排名全球第二，該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產能，增產程度約為4成。爾必達公司主要生產PC的內存，該公司計劃在2010財年向主要生產廠投資600億日元，將出貨量提高3成。
自今年夏天以來，全球半導體市場呈現堅挺的走勢，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復。全球經濟危機后，日本IT業大公司一改過去的謹慎投資的態度而變為積極投資，以期待與韓國三星公司展開競爭。
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東芝 NAND
- 自2009年夏季起全球半導體市場需求回溫，日本半導體大廠增資動作亦轉趨積極。日本經濟新聞報導指出，東芝(Toshiba)將與美國業者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業，提高約4成產能;爾必達(Elpida)亦計劃在2010年度中，投資600億日圓于主力據點，以增加3成出貨量。
報導指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導入尖端設備，此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業上的大舉投資。據悉，增設新生產線后，整廠生產規模將由26萬
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東芝 NAND
- 據國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產規模將擴大40%。
報道稱，東芝當前還計劃在2012年3月之前，為半導體產業投資總計5000億日元。市場調研公司iSuppli上周發布研究數據顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場業績強勁，東芝表現最為搶眼，營收環比增長近50%。
iSuppli的報告稱，全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。
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東芝 NAND 閃存芯片
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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