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        爾必達赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

        作者: 時間:2010-07-20 來源:臺灣媒體 收藏

          據(jù)了解,日商爾必達已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心,且選定投入高階技術(shù) Flash領(lǐng)域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣,未來將與力晶等日系半導體業(yè)者進一步合作。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/111029.htm

          據(jù)悉,爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司()合作雖然破局,但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在,政府單位與爾必達互動密切,爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計劃書,經(jīng)濟部正進行審查中。

          官員透露,爾必達來臺設(shè)立研發(fā)中心的計劃相當成熟,已進入實質(zhì)合作內(nèi)容洽談中,研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器(),而是切入高階的 Flash產(chǎn)品的研發(fā)。

           Flash技術(shù)領(lǐng)先一個世代,目前全球前五大制造廠被三星、東芝、美光、海力士、英特爾囊括全球96.8%市占率,臺灣廠商在這一塊缺席,原本在NAND Flash技術(shù)上相對薄弱的爾必達,在買下飛索(Spansion)NAND技術(shù)資產(chǎn)后,規(guī)劃在明年投入NAND Flash量產(chǎn)。



        關(guān)鍵詞: TIMC NAND DRAM

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