據報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產能提高一倍直至達到臺積電的規模。
根據iSuppli的統計，去年全球芯片代工市場的產值為190億美元，而臺積電獨自占據了其中的100億美元。
三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內存和NAND閃存市場處于領先地位，但是他們在代工市場的收入卻只有可憐的幾億美元。三星發言人近日表示，三星已經決定擴大其代工產能，目標直指臺積電。
三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業務。三星一直強調
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬 是傳統閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續讀取速率，同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款
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三星 30nm NAND
北京時間12月2日消息，據國外媒體報道，《韓國先驅報》援引匿名消息人士的話報道稱，三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業務。
消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業務，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業務。
三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發布第三季度財報時，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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三星 NAND 邏輯芯片 DRAM
近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨。《韓國時報》還報道稱蘋果經常采取等待閃存由于供過于求而出現價格下降時，才采購少量閃存的采購策略，這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現積壓現象。
由于海力士與三星兩家廠商的閃存業務對蘋果依賴甚大，因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協約價下調4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
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三星 NAND
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬是傳統閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續讀取速率，同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款三
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三星 30nm NAND
據悉，包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內建配備，加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉強，帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測產能吃緊現象將延續到明年1、2月。
NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場，并與創見合作銷售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場，只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測廠產能已多年未曾擴充，因此8、9月后已大量將
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SanDisk NAND 封測
臺灣DigiTimes報道，數家內存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態存儲產業共同標準，與會者們預計隨著制程逐漸過渡到20nm，NAND閃存價格將出現大幅下跌，最終實現一個可負擔的水平，不過這一時間點被認為是2011年以后。
此外，來自大陸的工業代表敦促盡快發展和規范SSD的規格，以解決來自國際供應商控制的核心技術。
去年Fusion-io公司首席科學家Steven Wozniak曾表示，他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低，同時性能更高，也不需
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NAND SSD
由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應NAND Flash數量相當有限，12月供應量控制亦開始松動，以及白牌記憶卡在市面上流通數量增加，使得淡季需求明顯反映在現貨及合約價上，近2個月NAND Flash價格從高檔連續緩跌，累計回檔幅度相當深。不過，多數存儲器業者認為，由于價格跌幅已大，預計后續再大跌機率不大，25日NAND Flash 11月下旬合約價開出，便呈現持平到小跌局面。
存儲器業者表示，蘋果對于NAND Flash供
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蘋果 NAND SSD
市場研究機構水清木華日前發布“2009年手機內存行業研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應用領域單一，應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優勢越明顯，應用領域更廣泛，應用廠家也多。手機市場變化迅速，現在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
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手機 NAND NOR
盡管IC產業在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經濟危機影響的存儲產業終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產能。一是通過從高節點技術向低節點技術的制程升級，進一步擴大位級產能;二是充分發揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區嵌入式業務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
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Numonyx NAND NOR閃存 PCM
盡管 IC 產業在步入 2009 年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經濟危機影響的存儲產業終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產能。一是通過從高節點技術向低節點技術的制程升級，進一步擴大位級產能;二是充分發揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區嵌入式業務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
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Numonyx NAND NOR閃存
市場研究機構水清木華日前發布"2009年手機內存行業研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
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三星 NAND NOR RAM
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。
PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態和非結晶態相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內能保存多個比特，因此存儲密度和成本
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NAND 閃存 相變存儲
2008年DRAM產業跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產業的巨大問題，因此經濟部為挽救臺灣內存演產業，宣布要進行產業再造，成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內存產業再造的任務，目的在于協助臺灣DRAM產
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TIMC DRAM NAND Flash
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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