- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發出全球首款采用堆疊 96 層制程技術的 3D NAND Flash 產品，且已完成試樣。該款產品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。
東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術的
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東芝 NAND
- UFS普及并不缺乏機會，Flash產能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關鍵因素了。
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Flash UFS
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內成為市場主流...
Western Digital(WD)內存技術執行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。
在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創性技術」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產品線。 他預計今年WD約有一半的產品線都將采用3D
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NAND 堆棧
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。
64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩固領先優勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產比重拉高至五成以上。
其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態硬盤(SSD)，自此之后，三星持續朝行動與消費型儲存市場開發新應用，務求與 I
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三星 NAND
- 鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現擔心鴻海「中國因素」的評論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經濟產業省高層，并強調，鴻海如果順利得標，海外市場將優先考慮在美設內存芯片廠。
東芝半導體競標案進入倒數計時，預計本周公布結果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經新聞、路透社專訪。 郭董強調，如果鴻海順利標下東芝半導體事業，希望未來能在海外建立內存工廠，地點將優先考慮美國。
郭臺銘補充，因為美國國內市場需求在當地還沒達到，
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東芝 NAND
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發，但該項架構技術并不成熟。采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發展了。
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MLC 閃存 NAND 英特爾
- 公司內部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經濟及東芝業績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業績歪風興起，等到2015年事件爆發，發現該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業績灌水的問題，事件逐一發不可收拾。
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東芝 NAND
- NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰，近日捧著5000多萬美元現金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。
群聯在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。
潘健成提到，今年大概只有5月有機會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預計可供第3季使用。
群聯在今年4月時，手
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NAND
- 以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優點有效地結合起來，實現了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數據的存儲處理和與上位機的交換，并在某電力局項目工頻場強環境監測儀中成功應用。
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Flash 串行存儲 FPGA
- 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數據采集與存儲系統的設計與實現,給出了系統的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設計進行了詳細描述。系統以FPGA作為數據的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質。該系統主要由數據采集模塊、數據存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統滿足設計要求。
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數據采集 Flash FPGA
- FPGA最小系統是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統的組成部分。
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FPGA最小系統 Altera NiosII Flash SDRAM
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續第四季持續受到缺貨影響，即使第一季度為傳統NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內的行動式存儲價格也呈現雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
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NAND SK海力士
- TFFS文件系統中的Core Layer內核層可將其他層連接起來協同工作；翻譯層主要實現DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統和Flash各個物理塊的關系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復等；MTD層執行底層的程序驅動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關的驅動。
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文件系統 Flash SOCKET
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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