JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數表的結構、功能和作用,并給出其在系統設計中的具體應用。
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JEDEC Flash JESD
半導體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產品DRAM,NANDFlash,NORFlash更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據,且近年來壟斷程度逐步加劇。
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存儲器 NAND
TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計,摘要 為實現數字信號處理器的加栽,介紹了TMS320C6455的各種加載模式,尤其是對外部ROM的引導方式,以及一種無需數據轉換即可通過數據加載將用戶程序寫入Flash的方法。以TMS320C6455為例,同時結合LED燈閃爍實例驗證
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DSP 加栽模式 二次加載 Flash
據外媒報道,東芝今天將截至9月份的上半財年營業利潤預期上調一倍以上至700億日元(約合6.95億美元),此前預期為300億日元。
受此消息推動,東芝股價在周三快速上漲,創下自去年10月以來的最高點。這是東芝第二次上調營業利潤預期,該公司在今年5月份最初預計上半財年將營業虧損200億日元。
智能機存儲芯片的強勁需求推動東芝上調營業利潤預期。另外,比東芝保守預期更為疲軟的日元匯率也發揮了推動作用。
芯片需求的增長源于中國智能機出貨量的強勁表現。盡管全球智能機市場表現乏力,但是中國智能機出
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東芝 NAND
先前,因為受到連續7年作假帳風波,因而導致公司商譽嚴重受損,并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba),28日宣布上調2016年上半年度的獲利預測,預估將上調至850億日元的水準,較原本預估的700億日元調高21.43%,每股EPS也將達到20.08日元,等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。
東芝于28日發出的消息表示,由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升,尤其在中國市場,在手機制造商不斷提升產品的儲存能力,所以需要性能越來越好的NAND閃存產品,導致相關價格的不斷上揚,如此以進一
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東芝 NAND
日媒稱,日本半導體制造裝置協會日前宣布8月份半導體制造設備的訂貨金額(3個月移動平均值,速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元),同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時隔29個月增長率首次超過30%。中國半導體制造商興起、半導體的微細化、立體化這三大變化為整個產業帶來了活力。另一方面,半導體設備制造商之間的優勝劣汰也有可能變得更加明顯。
據外媒報道,“采購設備的時間提前了”,東電電子社長河合利樹無法掩飾他對半導體制造商們強烈設備投資欲的驚訝。
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半導體 NAND
據韓聯社9月19日報道,韓國市場調研機構IHS和半導體業界19日消息,三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二,銷售額占有率為11.3%,與英特爾的差距縮小到3.4個百分點。
今年第二季度三星電子銷售額達94.52億美元,排名第一的美國英特爾半導體銷售額達122.72億美元,市場份額為14.7%。
三星與英特爾的市場份額差距在2012年達5.3個百分點,2013年為4.2個百分點,2014年3.4個百分點,2015年為3.2個百分點。雖然,今年第一季度差距拉大到4個百分點以上,但
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半導體 NAND
第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%,結束前兩季連續衰退的頹勢。
受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示,2016年第二季eMMC、用戶級固態硬碟與企業級固態硬碟的合約價跌幅開始收斂,通路端wafer價格更從四月起逐月走揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結束前兩季連續衰退的頹勢。
DRAM
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NAND 三星
美光公司日前開始量產其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產品的連續讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動器(HDD)改善了90倍,據稱也更加耐用。
Crucial SSD的售價為200美元,這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項,而且我們發現有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰,不過必須承認的
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美光 3D NAND
受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示,第二季eMMC、消費級固態硬盤與企業級固態硬盤的合約價跌幅開始收斂,渠道端wafer價格更從4月起逐月上揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結束前兩季度連續衰退的頹勢。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示,第三季
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美光 NAND
武漢東湖新技術開發區管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數據型閃存(3D NAND Flash)技術開發及產業化”項目可行性專家評審會,業內專家對
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3D NAND
南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業務組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業群分開各自營運,事業群自行加強競爭力,而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大于需求,預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續至2018年。市調機構IHS iSuppli最
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三星 東芝 NAND Flash
根據研調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange調查顯示,NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續跌5~10%,亦即8月合約價較7月重跌11~18%
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存儲器 NAND Flash芯片
韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態硬盤驅動器已經開始進行量產。最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比,具有包
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3D垂直閃存 V-NAND 固態硬盤
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [
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