- 北京時間3月24日上午消息，由于供應趨緊和需求旺盛導致存儲芯片價格上升，美光科技預計當前季度的營收和利潤遠超分析師預期。該公司第二財季利潤也超出分析師預期，促使其股價在周四盤后交易中大漲9.4%。
由于各大企業都在爭相開發體積更小、效率更高的芯片，引發了供應瓶頸，但與此同時，智能手機、人工智能、無人駕駛汽車和物聯網的數據存儲需求卻在飆升，導致全球存儲芯片制造商正在經歷分析師所謂的“超級周期”。
美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價21%，此前一個季度已
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美光 NAND
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。
三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統硬盤，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。
市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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三星 3D NAND
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產，預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。
長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，隨后
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長江存儲 NAND
- 3月1日，樂視宣布，對旗下樂Pro 3進行價格調整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價措施……手機廠家紛紛執行漲價措施，往常都想用低價策略吸引用戶的廠家們這次都是因為什么呢? 有沒有朋友發現目前市場上的閃存類產品價格在悄悄增長，包括我們熟悉的U盤、內存、硬盤類產品，這些產品和近期紛紛宣布漲價的手機是否有什么關系呢? 關鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說的“閃存”，而這類器件由于目前生產減少，出現了供不應求的狀況，導致其價格上漲，最終
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Nand 內存
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據) 工作原理 動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。
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DRAM NAND
- 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰，是儲存電容的高深寬比，為了要延長DRAM這種內存的壽命，在短時間內必須要采用3D DRAM解決方案。
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DRAM NAND
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產，預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。
長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，
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NAND 東芝
- 市調機構集邦科技預期，今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應吃緊的情況，NAND Flash廠商業績可望逐季攀高。
集邦科技調查，隨著NAND Flash缺貨達到高峰，產品平均售價走揚，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產值達120.45億美元，季增達17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。
集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數據市占率17.7%，居第3大
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三星 NAND
- “首屆IC咖啡國際智慧科技產業峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產品的戰略思考。
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存儲器 3D NAND DRAM 20170203
- 據海外媒體報道，去年下半年以來NANDFlash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調撥2DNANDFlash產能轉進3DNAND，但3DNAND生產良率不如預期，2DNAND供給量又因產能排擠縮小，NANDFlash市場出現貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
不過，隨著3DNAND加速量產，下半年產能若順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數。
2DNANDFlash制程持續往1y/1z納米進行微縮，如三星及SK海力士去年已轉進14納米，東芝及西部數據(WD)進入15納米，美光導
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NAND 存儲器
- 非揮發性電阻式內存(ReRAM)開發商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉換機制，開發出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現量產。
根據Crossbar策略營銷與業務發展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發性內存(eNVM)應用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實現高達
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NAND ReRAM
- 據海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
Chosun Biz日前引述業界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產所需設備及人力費用。
三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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三星 3D NAND
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查顯示，東芝公司為提升半導體業務競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內存業務。預期分拆出來的新公司將有更多經營彈性及更佳的籌資能力，長期而言對東芝/西數(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產能提升、產品開發均有所幫助。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，東芝公司這一做法，一方面為的是應付日漸沉重的產業競爭環境，另一方面是為緩解經營壓力，并滿足籌措營運資金的需求。從產業結構來看，DRAMeX
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東芝 NAND
- 據報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。
韓媒BusinessKorea 24日報導，業界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現的控制器技術。東芝在NAND市場表現出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 從2016年下半年開始，包括CPU、內存、屏幕、CMOS Sensor在內的眾多電子元器件都進入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來了成本壓力，最終這個壓力就轉移到了消費者身上，引起蝴蝶效應。
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DRAM NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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