中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰場，在武漢興建全球規模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發產業界震撼。
紫光集團董事長趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠”
2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰略合作協議，要在四川打造百億云計算中心。
12月30日，紫光宣布動工，興建三座全球最大3
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紫光 NAND
現在行業內的存儲玩家都不想看到三星持續一家獨大的現狀，中國這波掀起對存儲格局的改變，或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。
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存儲路 NAND
儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現，埋下隱憂。
目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數。
稍早三星和美光也都
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Flash 晶圓
2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年。
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產品前，也將持續缺貨，價格有望穩健走揚，使NAND Flash原廠營運表現持續往上。
DRAMeXch
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NAND TrendForce
SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。
SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示，該公司在3D NAND記憶體生產上已取得重要歷程碑。
科技網站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產數量仍高于3D，但就記憶體總容量而言，3D NAND產能的總容量已高于2D產品。
據悉，美光2D和3D NAND生產采用完全不同的技術。 2D NAND生產依賴于光刻(lithography)技術，3D NA
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美光 NAND
“三維閃存需要挑戰200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導體相關展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導體高端論壇”上登臺發言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰略。
成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應的3D NAND“BiCS FL
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東芝 NAND
今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產了。
對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現在市場上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統2
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美光 NAND
DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產品別價格續創年度新高，預估缺貨態勢將持續至2017年第1季，屆時企業級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關產品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。
今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。
DRAM
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?NAND SSD
三星在手機市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據TrendForce的數據顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創下新高。
目前3D NAND技術正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術數倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
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Intel NAND
三星憑藉著技術優勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩。
市調機構DRAMeXchange最新數據顯示，三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元，市占率較前季進步0.3個百分點至36.6%。(韓國經濟日報)
同期間，東芝NAND存儲器營收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個百分點成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%，此為歷史新高水平。
剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達17.1%
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三星 NAND
芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數據在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數據異常變化?！ ?nbsp;
1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫 例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調用了寫入或擦除函數或者由于程序跑飛而恰好執行了Flash擦除或寫入函數，這自然會導致數據丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量，當執行寫入或擦除操作時，對
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Flash 芯片
驅動程序識別設備時，有以下兩種方法： (1)驅動程序本身帶有設備信息，比如開始地址、中斷號等;加載驅動程序時，就可以根據這些信息來識別設備?！ ?2)驅動程序本身沒有設備信息，但是內核中已經(或以后)根據其他方式確定了很多設備的信息;加載驅動程序時，將驅動程序與這些設備逐個比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅動程序與某個設備匹配，就可以通過該驅動程序來操作這個設備了?！ 群顺Ｊ褂玫诙N方法來識別設備，這可以將各種設備集中在一個文件中管理，當開發板的配置改變時，便于修改代碼。在內核文件incl
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NAND 驅動
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業利益率也較上季大幅進步。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
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NAND Flash 英特爾
NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1。(法新社)
根據DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產業，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，Flash則約9兆韓元，遠不如原
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Flash 存儲器
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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