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        三星64層NAND閃存宣布量產

        作者: 時間:2017-06-16 來源:精實新聞 收藏

          電子 15 日宣布,最新 64 層 256GB V- 閃存已進入量產,與此同時,還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201706/360609.htm

          64 層 V- 閃存用稱為第四代 V- 芯片,南韓 ITtimes.com 報導指出,為穩固領先優勢,打算于年底把第四代芯片占每月生產比重拉高至五成以上。

          其實,三星今年 1 月已先為某關鍵客戶,打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態硬盤(SSD),自此之后,三星持續朝行動與消費型儲存市場開發新應用,務求與 IT 產業同步化。

          三星 64 層 V-NAND 閃存傳輸速度達每秒 1Gb,市面上同類型內存產品中無人能出其右。 若與 48 層產品相比,64 層閃存的省電效能約高出三成,可靠性則增加約兩城。

          三星目前是 NAND 龍頭,2016 年市占率為 36%,在第四代 NAND 芯片量產后,三星可能陸續調降第二、三代芯片價格,除可進一步擴大市占外,還將對美光、東芝、Western Digital 等同業造成降價壓力。



        關鍵詞: 三星 NAND

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