三星64層NAND閃存宣布量產

　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。

　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩固領先優勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產比重拉高至五成以上。

　　其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態硬盤(SSD)，自此之后，三星持續朝行動與消費型儲存市場開發新應用，務求與 IT 產業同步化。

　　三星 64 層 V-NAND 閃存傳輸速度達每秒 1Gb，市面上同類型內存產品中無人能出其右。 若與 48 層產品相比，64 層閃存的省電效能約高出三成，可靠性則增加約兩城。

　　三星目前是 NAND 龍頭，2016 年市占率為 36%，在第四代 NAND 芯片量產后，三星可能陸續調降第二、三代芯片價格，除可進一步擴大市占外，還將對美光、東芝、Western Digital 等同業造成降價壓力。