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        nand flash 文章 最新資訊

        第二季NAND Flash品牌營收排行

        •   第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%,結束前兩季連續衰退的頹勢。   受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示,2016年第二季eMMC、用戶級固態硬碟與企業級固態硬碟的合約價跌幅開始收斂,通路端wafer價格更從四月起逐月走揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結束前兩季連續衰退的頹勢。   DRAM
        • 關鍵字: NAND  三星  

        美光3D NAND創新低成本制程分析

        •   美光公司日前開始量產其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產品的連續讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動器(HDD)改善了90倍,據稱也更加耐用。   Crucial SSD的售價為200美元,這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項,而且我們發現有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰,不過必須承認的
        • 關鍵字: 美光  3D NAND  

        TrendForce:市況逐步回穩,第二季NAND Flash品牌商營收季成長3.4%

        •   受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示,第二季eMMC、消費級固態硬盤與企業級固態硬盤的合約價跌幅開始收斂,渠道端wafer價格更從4月起逐月上揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結束前兩季度連續衰退的頹勢。        DRAMeXchange研究協理楊文得表示,第三季
        • 關鍵字: 美光  NAND   

        武漢新芯“3D NAND”項目獲業內權威專家一致認可

        • 武漢東湖新技術開發區管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數據型閃存(3D NAND Flash)技術開發及產業化”項目可行性專家評審會,業內專家對
        • 關鍵字: 3D  NAND   

        SK海力士業務重整 DRAM、NAND等目標并進

        • 南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業務組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業群分開各自營運,事業群自行加強競爭力,而SK海力士
        • 關鍵字: SK海力士  DRAM  NAND   

        三星、東芝競擴產,NAND Flash恐跌三成

        • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大于需求,預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續至2018年。市調機構IHS iSuppli最
        • 關鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

        8月NAND合約價 較上月跌近2成

        • 根據研調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange調查顯示,NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續跌5~10%,亦即8月合約價較7月重跌11~18%
        • 關鍵字: 存儲器  NAND  Flash芯片   

        三星3D垂直NAND閃存量產 SSD容量可輕松提升

        • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態硬盤驅動器已經開始進行量產。最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比,具有包
        • 關鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態硬盤   

        三星3D V-NAND固態盤加速企業閃存進化

        • 三星最新的產品是一種面向企業級應用、高可靠的固態盤存儲--V-NAND固態盤。最新用于固態盤V-NAND技術帶來性能上的提升,節省電力消耗,并提高了急需
        • 關鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態盤   

        SSD容量突破關鍵:3D存儲芯片大揭秘

        • 現在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發展,我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop,I
        • 關鍵字: 3D NAND  SSD  存儲技術  

        IC Insights:NAND與DRAM朝3D發展

        • 隨著DRAM和NAND技術持續邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關DRAM和NAND供應商的最新動態,期望能提供更清楚的DRAM/NAND發展
        • 關鍵字: NAND  DRAM   

        NAND flash和NOR flash的區別詳解

        • 我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我
        • 關鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

        DSP硬件設計需要知道的注意事項

        • 數字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設備,通過CMOS處理技術,DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP
        • 關鍵字: 硬件設計  FlaSh  DSP  

        從Flash和SRAM中觸發中斷的過程示例

        • 使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
        • 關鍵字: Flash  SRAM  觸發中斷  

        NAND Flash合約價 恐一路跌到年底

        • 市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange調查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
        • 關鍵字: NAND  Flash   
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        nand flash介紹

         Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]

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