第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%,結束前兩季連續衰退的頹勢。
受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示,2016年第二季eMMC、用戶級固態硬碟與企業級固態硬碟的合約價跌幅開始收斂,通路端wafer價格更從四月起逐月走揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結束前兩季連續衰退的頹勢。
DRAM
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NAND 三星
美光公司日前開始量產其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產品的連續讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動器(HDD)改善了90倍,據稱也更加耐用。
Crucial SSD的售價為200美元,這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項,而且我們發現有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰,不過必須承認的
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美光 3D NAND
受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示,第二季eMMC、消費級固態硬盤與企業級固態硬盤的合約價跌幅開始收斂,渠道端wafer價格更從4月起逐月上揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結束前兩季度連續衰退的頹勢。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示,第三季
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美光 NAND
武漢東湖新技術開發區管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數據型閃存(3D NAND Flash)技術開發及產業化”項目可行性專家評審會,業內專家對
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3D NAND
南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業務組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業群分開各自營運,事業群自行加強競爭力,而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大于需求,預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續至2018年。市調機構IHS iSuppli最
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三星 東芝 NAND Flash
根據研調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange調查顯示,NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續跌5~10%,亦即8月合約價較7月重跌11~18%
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存儲器 NAND Flash芯片
韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態硬盤驅動器已經開始進行量產。最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比,具有包
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3D垂直閃存 V-NAND 固態硬盤
三星最新的產品是一種面向企業級應用、高可靠的固態盤存儲--V-NAND固態盤。最新用于固態盤V-NAND技術帶來性能上的提升,節省電力消耗,并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固態盤
現在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發展,我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop,I
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3D NAND SSD 存儲技術
隨著DRAM和NAND技術持續邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關DRAM和NAND供應商的最新動態,期望能提供更清楚的DRAM/NAND發展
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NAND DRAM
數字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設備,通過CMOS處理技術,DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP
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硬件設計 FlaSh DSP
使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
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Flash SRAM 觸發中斷
市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange調查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
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NAND Flash
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [
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