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        NAND閃存的三種架構:MLC、SLC、MBC

        作者: 時間:2017-06-12 來源:網絡 收藏
        的內部架構:可以分為三種不同架構,即:單層單元SLC (Single Level Cell);多層單元(Multi Level Cell);多位單元MBC(Multi Bit Cell)。其中,MBC以NROM技術為基礎的架構,由英飛凌與Saifun合作開發,但該項架構技術并不成熟。

        采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息,以達到其穩定、讀寫速度快等特點,Cell可擦寫次數為10萬次左右。作為SLC架構,其也有很大的缺點,就是面積容量相對比較小,并且由于技術限制,基本上很難再向前發展了。

        1997年,架構的NAND閃存被率先研發出來,其原理是將2個或2個以上bit以上的信息寫入一個浮動柵,然后利用不同電位的電荷,透過內存儲存格的電壓控制精準讀寫。由于其成本低,容量大,自問世以來得到了包括在內的多家閃存大廠的支持,其中東芝公司更是看好技術,并大力發展。但是MLC架構也同樣有其缺點,首先是運行情況不及SLC架構來的穩定;而且相對讀寫速率也較SLC慢;其次MLC的可寫入次數僅為1萬次左右。因此,MLC架構的NAND芯片一度被認為是低質低價的閃存芯片。但是由于其容量上的先天優勢,MLC技術也在不斷改進和發展。

        SLC和MLC結構和工作原理示意圖

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201706/353427.htm

        兩個MCL Block的NAND FLASH


        因為其低成本及容量高的關系,該類型閃存已經主宰了我們身邊的眾多存儲媒介。由于目前移動設備的不斷增長,大容量高速非易失性存儲設備成為市場需求的目標。


        關鍵詞: MLC 閃存 NAND 英特爾

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