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基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件，是市場上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
關鍵字： C6678 DSP flash boot 多核boot I2C引導 SRIO 網絡

FAT文件系統在NAND Flash存儲器上的改進設計

嵌入式系統的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性，構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統，并闡述具體的設計思想。
關鍵字： Flash NAND FAT 文件系統

關于NAND閃存顆粒你必須知道這些事兒

　　隨著近段時間以來，固態硬盤、內存條甚至優盤等存儲設備的大幅度一致性漲價，影響著存儲設備漲價的背后關鍵性元件閃存顆粒，開始浮出水面，被越來越多的業內人士，反復解讀。　　那么，在價格上起著關鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價格上漲又有什么關系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區別?下面，我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。　　閃存顆粒的釋義及廠商　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單
關鍵字： NAND 存儲器

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統中的應用

隨著嵌入式系統產品的發展，對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
關鍵字： Flash NAND 02A 1FT

2017年中國將推自主生產3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，存儲芯片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
關鍵字： SSD 3D NAND

如何將“壞塊”進行有效利用

　　被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
關鍵字： Nand Flash 寄存器

2017年中國將推自主生產32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，存儲芯片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。　　　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
關鍵字： 3D NAND

大陸發展存儲器大計三箭齊發　明年推首顆自制3D NAND芯片

　　大陸發展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術約2個世代，然大陸終于將全面進軍NAND Flash領域。　　盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術改朝換代之際，大
關鍵字：存儲器 NAND

提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

摘要在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備E
關鍵字： MSP430G 單片機 Flash

關于單片機中的flash和eeprom

FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。
關鍵字：單片機 flash eeprom

NAND FLASH扇區管理

首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區
關鍵字： Flash NAND 扇區管理

西數超車三星電子或點燃NAND價格戰

　　全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產淹沒市場，重創NAND價格。　　巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產還擊。報告稱，當前三星在業界握有主導權，將密切關注WD/閃迪(WD去年收購了
關鍵字：西數 NAND

第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯價格續揚

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調查顯示，在智能手機及各種固態硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態硬盤的價格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業者營收及利潤將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
關鍵字： NAND 服務器

TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價格續揚

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，在智能手機及各種固態硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態硬盤的價格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業者營收及利潤將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
關鍵字： TrendForce NAND

未來半導體業進入五大轉折新興驅動力具獨特優勢

未來半導體進入五大轉折，包括邏輯芯片制程技術推進到10/7納米;存儲器推進到3D NAND Flash;因應芯片愈來愈小，制圖成型依賴愈來愈高;移動設備導入OLED比重會愈來愈高以及大陸積極扶植半導體產業。
關鍵字： NAND AR

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]