高效率和節能是家電應用中首要的問題。三相無刷直流電機因其效率高和尺寸小的優勢而被廣泛應用在家電設...
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意法半導體 MOSFET 逆變器
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，
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MOSFET 驅動 電路設計
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉換器應用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產品的電壓和封裝占位選項，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規格產品的獨家供應商。
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Vishay MOSFET SiZ300DT SiZ910DT
日前，集設計，開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
新的產品上應用了AOS的AlphaMOS專利技術。這些技術的好處在于它可以延長電池的使用壽命，還可以使設計變的更簡單緊湊，適用于便攜式產品，例如：平板電腦、智能手機,電子書、筆記本電腦、數碼相機及便攜式音樂播放器。
AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市
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AOS MOSFET
在CCMPFC中，通過改善MOSFET技術可以減少開關損耗，甚至可通過SiC技術改善升壓二極管來減少MOSFET的開關損...
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開關 PFC MOSFET
開關電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流...
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開關電源 IGBT MOSFET
當前，設計人員正面臨為各種應用產品的電源設計反激電路的挑戰，現在找到能夠簡化工作的方法。全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)發布一款易于使用、功能強大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，這款工具可讓設計人員無需應用指南，也可以像電源專家一樣進行“自動化設計”、優化或“先進設計”。
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飛兆 MOSFET PSW
超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
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LED GaN MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開關的性能。
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Vishay MOSFET
通常，在功率MOSFET的數據表中的第一頁，列出了連續漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設計過程中，它們如何影響系統以及如何選
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電流 MOSFET 功率 理解
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器具備三個獨立的高低側參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術使單片式結構堅固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應電阻來進行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
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國際整流器公司 MOSFET 柵極驅動IC
用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款 ...
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集成高壓 MOSFET PFC 控制器芯片
現在人們關注“平板電視”和“太陽能電池”，這兩個領域都注重環保理念，需要進行低損耗、高效率的產品開發。 ...
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MOSFET 高速開關
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。
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Vishay MOSFET Si8802DB
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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