- 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
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MOSFET 瞬態溫升
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術,具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉換應用中的MOSFET的重要優值系數。
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與前一代S系列器件相比,新的
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Vishay Siliconix MOSFET
- 近年來,電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大(某些電源系統輸出幾十安培到上百安培)。因此,電源設計中采用...
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開關電源 MOSFET
- 2011 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
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Vishay MOSFET
- 閉鎖繼電器在給線圈一個短電壓脈沖時,會改變自己的狀態。由于這些繼電器不需要連續的線圈電流來保持狀態...
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MOSFET 繼電器 驅動器
- 由分立器件組成的驅動電路((如圖所示),驅動電路工作原理如下: A.當HS為高電平時,Q7、Q4導通,Q6關閉,電容C4上的電壓(約14V)經過Q4、D3、R6加到Q5的柵極,使Q5導通。在導通期間,Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
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電路設計 驅動 MOSFET 常見
- Sept. 21, 2011 – 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)持續為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產品系列。
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安森美 半導體 MOSFET
- 美國加利福尼亞州圣何塞,2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司(納斯達克股票代號:POWI)今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC,新器件將控制器、高壓端和低壓端驅動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設計靈活性,既可提升效率(最高效率可超過97%),又可縮小尺寸,即利用高頻工作(最高達750 kHz)來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
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Power Integrations MOSFET HiperLCS器件
- 電動自行車具有環保節能,價格合適,無噪聲,便利等特點,因此,電動自行車成為當今社會人們主要的代步工具。與此同時,消費者和商家對整車的質量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
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電路 設計 驅動 MOSFET 自行車 控制器 電動
- 許多汽車制造商設計了一種節省汽車燃料的巧妙方法,就是運用了被稱為“啟動/停止”系統的新概念。該系統...
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MOSFET 引擎 離合器
- 新型低VCEsat BJT技術為傳統的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優勢的產品。 便攜式產品(如手機、數碼照相機、
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比較 MOSFET 晶體管 雙極結 VCEsat
- 摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC-DC基本電路,內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能,文中一一有分解說明。
關鍵詞:全橋移相控制器L345046;28個PIN腳功能
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控制器 -LM5046 全橋移 驅動器 MOSFET 集成
- 隨著個人計算機行業向著工作電流為200A的1V核心電壓推進,為了滿足那些需求,并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法,半導體行業正遭受著巨大的壓力。過去,MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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MOSFET 高精度 設計技巧
- 全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝,電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產品系列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐,60V 下最大為2.1 毫歐,75V 下為 2.6 毫歐,100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。
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IR MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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