以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅動感性負載時，這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載，MOSFET 兩端的電壓實際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
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電源管理 MOSFET 功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的Gen 4.5 650?V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業和計算應用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導通電阻降低了48.2 %，而電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中650V MOSFET的重要優值因數（FOM）降低了65.4 %。Vishay推出了多種MOSFET技術，為電源轉換過程的所有階段提供支持，包括
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Vishay 功率MOSFET
技術背景：功率半導體進化論在現代電力電子系統中，功率MOSFET如同"電子開關"般控制著能量流動的命脈。這類器件的核心使命是在導通時實現最低損耗，在關斷時承受最高電壓，同時要在兩種狀態間實現光速切換。隨著新能源汽車、工業自動化、可再生能源等領域的爆發式增長，市場對功率器件的需求呈現出"三高"特征：高電流承載能力、高開關頻率、高功率密度。傳統平面柵結構MOSFET受限于寄生電容大、導通電阻高等瓶頸，已難以滿足新一代電力系統的嚴苛要求。技術突破：STripFET F7的
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意法半導體 功率MOSFET
Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業內領先的功率密度和優越性能。創新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交
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CCPAK1212封裝 Nexperia 功率MOSFET
提供業界領先的低通態電阻，使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新器件在當前200V X4-Class超級結MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠用來替換多個并聯的低額定電流器件，從而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率
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Littelfuse 超級結 功率MOSFET
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產品組合，擴展了現有StrongIRFET? 2系列產品的陣容，以滿足大眾市場對30 V解決方案日益增長的需求。新型功率?MOSFET產品經過優化，具有高可靠性和易用性，專為滿足各種大眾市場應用的要求而設計，實現了高度的設計靈活性。適合的應用包括工業開關模式電源（SMPS）、電機驅動器、電池供電應用、電池管理系統和不間斷電源（UPS）。英飛凌采用TO-220封裝的
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英飛凌 StrongIRFET 功率MOSFET
Littelfuse P通道功率MOSFET雖不及廣泛使用的N通道MOSFET出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加，P通道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P通道的簡易性，使其對低壓變換器（< 120 V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P信道MOSFET易于驅動，具有設計簡單、節省空間，零件數量少等特點，提升成本效率。本文通過對N信道和P信道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P通道功率MOS
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P通道 功率MOSFET ?Littelfuse
英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠實現簡單、緊湊的雙面PCB設計，并更大程度地降低未來汽車電源設計的冷卻要求和系統成本。因此，SSO10T TSC適用于電動助力轉向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電、無刷直流驅動器（BLDC）、安全開關、反向電池和DCDC轉換器等應用。SSO10T TSC的占板面積為5
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英飛凌 功率MOSFET SSO10T TSC 頂部冷卻封裝
過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發展到蓬勃的商業領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態高壓現象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。同時，電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數汽車的標配，在設計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發展壯大。今天的汽車電子系統已開創了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車電子功率器件
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功率MOSFET 汽車電子 新能源汽車
中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數據中心和光伏功率調節器等應用的開關電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開始支持批量出貨。 新產品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關重要的反
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東芝 高速二極管型 功率MOSFET
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導
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Vishay 源極倒裝技術 PowerPAK 功率MOSFET
Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司宣布推出首款汽車級PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。這種創新性產品設計可滿足汽車應用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最為與眾不同之處在于通過了AEC-Q101認證，這一特點使其成為汽車應用的理想選擇。該認證確保MOSFET符合汽車行業嚴格的質量和可靠性標準。憑借這項認證，汽車制造商可確信IXTY2P50PA能夠提供卓越的應用性能
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Littelfuse PolarP P通道 增強模式 功率MOSFET
韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經與威世集團(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產品的長期供應協議。功率MOSFET是在高電壓、大電流的工作狀態下，具備低功耗、高速開關能力和高可靠性的，幾乎可以應用于所有電子設備的典型的功率分立器件。市場調研公司OMDIA的數據表明，2022年功率分立器件的市場規模為212億美元，預計到2027年將達到284億美元，年復合增長率為6%。威世是全球領先的功率分立
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啟方半導體 威世 功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數是650?V MOSFET在功率轉換應用中的重要優值系數（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術全面支持功率轉換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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Vishay 650 V 功率MOSFET
功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應來控制半導體S的場效應晶體管。除少數應用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數用作開關和驅動器，工作于開關狀態，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [
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