mosfet 文章最新資訊

新日本無線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅動器

為了減輕對環境的影響，最新的電子設備急需高效率化，并且對其中配備的電機、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來控制的趨勢（軟件控制）。因此，電子設計工程師除了需要微處理器/DSP的知識之外，關于功率器件的驅動知識也是必不可少。
關鍵字：新日本無線 MOSFET 驅動器NJW4800

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。
關鍵字： IR MOSFET

英飛凌推單P溝道40V汽車電源MOSFET

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。　　新推出的器件系列采用多種標準封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個器件型號，其中包括通態電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準。
關鍵字：英飛凌汽車電源 MOSFET

MC34063+MOSFET擴流電路原理圖 12v轉5v電路

關鍵字： MC34063 MOSFET 電路原理圖 12v轉5v

Intersil推出全球首款高速雙通道6A MOSFET驅動器

2011 年 9 月 13 日— Intersil公司（納斯達克全球交易代碼：ISIL）今天推出業內首款雙6A峰值電流驅動能力的雙通道MOSFET驅動器---ISL89367。此款獨特器件為設計人員提供了高速驅動多個并聯大電流功率MOSFET的集成解決方案，非常適合用于開關電源、電機驅動器和D類放大器等應用。
關鍵字： Intersil MOSFET

英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片

英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。
關鍵字：英飛凌 MOSFET 40V OptiMOS P2

淺談如何提升輕載能效及降低待機功耗

隨著家用電器、視聽產品的普及，辦公自動化的廣泛應用和網絡化的不斷發展，越來越多的產品具有了待機功能，以隨時...
關鍵字：待機功耗 MOSFET

MOSFET及MOSFET驅動電路總結

在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也...
關鍵字： MOSFET MOSFET驅動電路

PMOS開關管的選擇與電路圖

首先要進行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道M...
關鍵字： PMOS 開關管 MOSFET 二極管

安森美半導體推出汽車級非同步升壓控制器

　　應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出用于汽車系統自安嶄新的可調節輸出非同步升壓控制器。　　NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內部穩壓器為門驅動器提供電荷，它在休眠模式下的靜態電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開關頻率特性，提供兩種分別可設定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
關鍵字：安森美半導體 MOSFET 非同步升壓控制器 NCV8871

NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

　　恩智浦半導體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。　　
關鍵字： NXP MOSFET

Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
關鍵字： Vishay MOSFET

恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。
關鍵字：恩智浦 MOSFET PBSM5240PF

Vishay將舉辦中國西部電源研討會

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars)，時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店，8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術報告，探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業電源和其他行業中的應用。研討會面向研發工程師，用中文講解，CEF的觀眾可以免費參加。
關鍵字： Vishay MOSFET

提供低損耗大功率的MOSFET

硅功率二極管的PN結通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當的能量，從而造成電源效率...
關鍵字：低損耗大功率 MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]