mosfet 文章最新資訊

計算大功率電源中MOSFET的功率耗散

中心議題：計算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案：重新設(shè)定輸入電壓范圍改變開關(guān)頻率
也許便攜式電源設(shè)計工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實上
關(guān)鍵字：功率耗散 MOSFET 電源大功率計算

Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 控制器

MOSFET控制器有助提升PSU效率

Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXGD3104N8

德州儀器推出4A與5A雙通道輸出MOSFET驅(qū)動器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動器，進一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動器產(chǎn)品陣營。
關(guān)鍵字： TI MOSFET UCC27210

二極管泄漏電流及MOSFET亞閾區(qū)電流的測量

中心議題：二極管的泄漏電流的測量 MOSFET的亞閾區(qū)電流的測量解決方案：采用源-測量單元測量二極管的泄漏電流采用兩臺SMU來測量MOSFET的亞閥區(qū)電流
測試半導(dǎo)體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測量
關(guān)鍵字：電流測量 MOSFET 二極管泄漏

Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運行。　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案

英飛凌汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案主要由5個MOSFET、2個高電壓驅(qū)動器、1個PFC控制器和1個HID燈鎮(zhèn)流...
關(guān)鍵字： HID燈鎮(zhèn)流器 MOSFET 高電壓驅(qū)動器

UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計

UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計,1　引言

　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮，為驅(qū)動電路的設(shè)計提供了更多的選擇和設(shè)計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
關(guān)鍵字：應(yīng)用設(shè)計芯片 MOSFET 高速驅(qū)動 UCC27321

智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計方案

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。　　UCD
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器數(shù)字控制電源設(shè)計方案

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實現(xiàn)更高的能源效率。
關(guān)鍵字：科銳 SiC MOSFET

飛兆半導(dǎo)體鋰離子電池組保護設(shè)計解決方案

便攜產(chǎn)品的設(shè)計人員通常在設(shè)計的每個階段都會面對減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應(yīng)用等使用單節(jié)鋰離子電池的產(chǎn)品中，這是一個特別重要的問題。
關(guān)鍵字：飛兆半導(dǎo)體 MOSFET FDMB2307NZ

Diodes推出新型P通道MOSFET

Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機及平板計算機等。
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DMP1245UFCL

功率因數(shù)校正器(PFC)在電源應(yīng)用中的重要作用

傳統(tǒng)的離線開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器會產(chǎn)生帶高諧波含量的非正弦輸入電流。這會給電源線、斷路開關(guān)和電力設(shè)施帶來...
關(guān)鍵字： PFC MOSFET PWM

為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

中心議題：同步整流基礎(chǔ)知識優(yōu)化同步整流MOSFET解決方案：確定優(yōu)化MOSFET的負載電流借助四象限SR器件優(yōu)化表選擇MOSFET
1. 引言

電源轉(zhuǎn)換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標準越來越嚴格，
關(guān)鍵字： MOSFET 最優(yōu)化選擇整流同步

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(二)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能 (上接第
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動器 MOSFET 集成

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]