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        2004年6月7日，瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET
        
                                                            
          
                    	
        • 　　2004年6月7日，瑞薩發布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產品相比，HAT1125H的導通電阻大約減小了25%，是業界導通電阻最低的工業標準SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產品。由于其損耗很低，將有助于設計小型、節省空間的系統。
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        • 關鍵字：
                        瑞薩  MOSFET  Renesas                          
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		      			      			      	　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
        
    		
        
      			
        
        			
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