近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產品平臺，標志著功率半導體技術在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1
mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產品比電阻Rs
關鍵字：
清純半導體 微碧半導體 第3代 SiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結構可能產生較高的功率損耗。如果控制器的死區時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設
關鍵字：
英飛凌 肖特基二極管 工業用 GaN 晶體管
碳化硅 （SiC） 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關頻率，因此也適用于更緊湊的電動機中的三相逆變器。其中包括數據中心的電子換向 （EC） 冷卻風扇，這些風扇消耗了更多的電力來運行 AI 訓練和推理，并在此過程中產生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
關鍵字：
SiC 數據中心 冷卻風扇 高密度電源 安森美
如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求，正推動著數據中心行業蓬勃發展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業的迅猛發展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規模的投資升級。隨著數據中心耗電量急劇增加，行業更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
關鍵字：
SiC MOSFET AI數據中心 電源轉換能效
碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復雜的材料。用于制造 SiC 功率半導體的晶圓生產利用制造工藝、規格和設備的密集工程來實現商業質量和成本效益。必要性與發明寬禁帶半導體正在改變電力電子領域的游戲規則，使系統級效率超越硅器件的實際限制，并帶來額外的技術特定優勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關系優于硅，從而簡化了系統設計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性，SiC 的孕育使二極管領先于 MOSFET 進入市場。現在，隨著技術進步收緊工藝控制、提高良率并
關鍵字：
SiC
新聞亮點：新款發布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數據中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業標準的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現代數據中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數據中心需要更
關鍵字：
德州儀器 GaN 數據中心 電源管理芯片 保險絲
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
關鍵字：
cascode FET SiC
Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環節的便捷優勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優異的散熱效果。此次新品發布精準滿足了眾多高功率（工業）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優勢，得以實現卓越的熱性
關鍵字：
Nexperia SiC MOSFET
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業內少有、同時提供級聯型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰提供了更多便捷性。Nexperia
關鍵字：
Nexperia GaN FET
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在低電流區域，SiC MOSFET的通態壓降明顯低于Si IGBT的通態壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
關鍵字：
三菱電機 SiC MOSFET
3月14日，?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創新大會”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討，首次在國內展示了英飛凌兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術創新領域的領先地位，并解讀最新產品與解決方案，為行業注入新動能，助力企業在低碳數字變革的浪潮中把握先機。2025英飛凌消費、計算與通訊創新大會（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
關鍵字：
英飛凌 MCU GaN
氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結合了高水平的性能和低噪聲系數。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優于標準結或 MOSFET。這些獨特的器件在微波射頻 （RF） 應用中表現出色。來自 n 型區域的電子穿過晶格，許多電子保持在異質結附近（異質結是指通過兩個或多個半導體的接觸耦合形成的界面區域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開關能量 （Esw） 是在硬開關條
關鍵字：
GaN HEMT 開關應用 低噪聲功率
無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
關鍵字：
CGD GAN 電動汽車 驅動逆變器
電動汽車 （EV） 越來越受歡迎，因為精明的消費者，尤其是在加利福尼亞州，認識到出色的加速性能的優勢，例如，當紅綠燈變綠時，汽油動力汽車可能會被塵土甩砸。這是因為電動機在駕駛員踩下油門的那一刻就會產生峰值扭矩。然而，與內燃機 （ICE） 汽車相比，電動汽車的主要動機是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器 （OBC） 完全能夠為來自交流電網的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車輛插入 EV 1 級和 2 級交流充電站之一，這些充電站出現在停車場、家庭、公司、購
關鍵字：
GaN 汽車應用 OBC 高壓 DC-DC轉換器
了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術應用于D類音頻放大器，可以提高信號保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強大、沉浸式聲音的核心設備。這些設備將低功率音頻信號轉換為豐富、高功率的輸出，從而驅動從便攜式揚聲器到專業音響系統的一切設備。在過去十年中出現的各種放大器設計中，有一種脫穎而出：D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類技術主導了現代音頻領域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當前的D類音頻系統雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰。D類放大器
關鍵字：
GaN 放大器
gan+sic介紹
您好，目前還沒有人創建詞條gan+sic!
歡迎您創建該詞條，闡述對gan+sic的理解，并與今后在此搜索gan+sic的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473