SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個/cm2，位錯的密度約為103～10?長達個/cm2。至今，與Si相
關鍵字：
三菱電機 SiC
我們采用單全橋LLC拓撲結構，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說明。有關該零件的更多詳細信息，請參閱數據表和應用說明。由于輸出電壓高（250?450
Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅動器。
關鍵字：
車載電動汽車充電器 NVHL060N090SC1 SiC
8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發布會成功召開。發布會上，賽事組委會發布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關內容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區人民政府黨組成員、副區長梁爽出席此次發布會；武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發布賽事信息；江夏區文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區文旅推介，向社會各界發出“跟著賽事游江夏”的邀
關鍵字：
羅姆 SiC MOSFET 極氪
8月13日，新潔能發布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN
功率器件及封測的研發及產業化”項目達到預定可使用狀態日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現年產 SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
關鍵字：
新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
根據TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power
Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業的發展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術的演進，帶動算力需求持續攀升，C
關鍵字：
CAGR GaN 功率元件
8月15日消息，根據TrendForce集邦咨詢最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業的發展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。報告顯示，非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。
關鍵字：
英飛凌 德州儀器 GaN 功率元件
IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產業的發展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據介紹，消費電子是功率 GaN 產業的主戰場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
關鍵字：
功率器件 GaN
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
關鍵字：
羅姆 SiC 氮化鎵 GaN
潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發展備受關注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優勢已經被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的最大
關鍵字：
GaN SiC
7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布，其首批車規級功率模塊量產產品正式下線投產。悉智科技表示，此次下線的首批量產模塊，是悉智科技自研的高端電驅SiC塑封功率模塊產品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發上，悉智科技取得了顯著進展，目前該產品已獲取到客戶的量產訂單，并會在今年四季度實現大規模量產。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營以來，始終專注于車規級功率與電源模塊的研發與生產，致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
關鍵字：
悉智科技 DCM封裝 8并 SiC
圖1 半導體對許多新興綠色科技至關重要毋庸置疑，從社會發展的角度，我們必須轉向采用可持續的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰。無論是生產要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環境中持續可靠地運
關鍵字：
電動汽車 光伏逆變器 SiC
近年來，隨著科技的不斷進步和全球對綠色低碳發展的需求日益增長，半導體行業迎來了前所未有的發展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵領域持續深耕，通過戰略布局、技術創新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤先生以及英飛凌科技
關鍵字：
氮化鎵 英飛凌 GaN Systems
氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優勢體現在節能、成本節約及材料省用上。其核心亮點在于其超快的開關速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進了開關頻率的大幅提升，進而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅，通過實現極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實現了數量級的優化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統效率的關鍵所在。綜合上述兩方面優勢，氮化鎵的應用不僅促進了系統性
關鍵字：
氮化鎵 GaN
碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
關鍵字：
202407 太陽能 PV SiC FET 寬帶隙 碳化硅 光伏
本文要點? 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經常用于一些轉換器和驅動器應用氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術如何顛覆整個行業。氮化
關鍵字：
GaN
gan+sic介紹
您好，目前還沒有人創建詞條gan+sic!
歡迎您創建該詞條，闡述對gan+sic的理解，并與今后在此搜索gan+sic的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473