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多款車型相繼發(fā)布，SiC技術(shù)加速“上車”

SiC技術(shù)似乎已成為蔚來旗下新車型標(biāo)配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達(dá)292Wh/kg，充電效率達(dá)到5C，呈現(xiàn)出來的效果就是充電5分鐘，續(xù)航255公里。近日，蔚來旗下又一款搭載SiC技術(shù)的車型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據(jù)悉，樂道全域采用900V高壓架構(gòu)，包括電驅(qū)系統(tǒng)、熱泵空調(diào)、輔助加熱器（PTC）、車載充電機(jī)（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
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英飛凌為小米新款SU7智能電動(dòng)汽車供應(yīng)一系列產(chǎn)品

Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動(dòng)汽車供應(yīng)碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動(dòng)汽車供應(yīng)了一系
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中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)

近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導(dǎo)體粉體500噸生產(chǎn)線成功達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達(dá)到99.99999%，已在國內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)開展試用和驗(yàn)證。資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團(tuán)和平頂山發(fā)展投資集團(tuán)共同出資設(shè)立，總投資20億元，分期建設(shè)年產(chǎn)2000噸碳化硅半導(dǎo)體粉體生產(chǎn)線。項(xiàng)目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設(shè)，9月20日項(xiàng)目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，據(jù)悉
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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英飛凌：將為小米電動(dòng)汽車提供先進(jìn)的功率芯片

德國頂級(jí)芯片制造商熱衷于挖掘中國對(duì)特種半導(dǎo)體的需求。
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2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)91.7億美元

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌，近期均報(bào)告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
關(guān)鍵字：雜散電感 SiC IGBT 開關(guān)特性

柵極環(huán)路電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析S
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比

在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對(duì)比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣
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GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器

D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效，從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì)，在4Ω負(fù)載時(shí)，每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì)，其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板，實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高，使
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全面升級(jí)！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。M3S 系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時(shí)代，國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風(fēng)口狂追

近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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氮化鎵器件讓您實(shí)現(xiàn)具成本效益的電動(dòng)自行車、無人機(jī)和機(jī)器人

基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9193)讓您實(shí)現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng)，其續(xù)航里程更長、精度更高、扭矩更大，而且同時(shí)降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本：●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計(jì)，在每個(gè)開關(guān)位置使用單個(gè)FET，可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流。●? ?EPC91
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