Nexperia擴展GaN FET產品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業內少有、同時提供級聯型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰提供了更多便捷性。

Nexperia此次發布的E-mode GaN FET新產品包括新型低壓40 V雙向器件(R_DSon140 m?)（用于支持LED驅動器和功率因素校正(PFC)應用），以及650 V器件(R_DSon>350 m?)（適用于AC/DC轉換器）。

Nexperia E-mode GaN FET技術憑借其超低的QG和QOSS值，提供了出色的開關性能。這些新器件提供了業界領先的品質因數(FOM)，因此非常適合用于高效電源解決方案。