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        gan+sic 文章 最新資訊

        英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

        •   英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離套管和隔離膜,使安裝更加簡易、可靠。   獨具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝,該技術大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻,有效地彌補了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
        • 關鍵字: 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

        GaN功率半導體市場將迅速增長,2013年市場規(guī)模達1.8億

        •   美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示,2010年的市場規(guī)模近乎為零,但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式,不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測,該產(chǎn)品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。   目前,GaN功率半導體正處于在研究室評測階段,或者剛開始商用化的階段。不過,GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有導通電阻較低等優(yōu)點,可提高電源電路的轉
        • 關鍵字: GaN  MOSFET  

        即將普及的碳化硅器件

        •   隨綠色經(jīng)濟的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計,60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
        • 關鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

        SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

        • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
        • 關鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

        IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術平臺

        •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比,該技術平臺可將關鍵特定設備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能,并降低能耗。   開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術,歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。   IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現(xiàn)電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業(yè)知識方面
        • 關鍵字: IR  功率器件  GaN  終端  

        SiC二極管逆變器投入應用,讓燃料電池車更輕

        •   日產(chǎn)汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上,并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC,今后有望實現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言,逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。   SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數(shù)左右,理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導通電阻小,因此可
        • 關鍵字: 二極管  SiC  汽車  逆變器  日產(chǎn)  

        測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術問題

        • 要預測客戶對一款手機性能的接受程度,從而預測手機設計的品質(zhì),需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
        • 關鍵字: GAN  蜂窩  話音質(zhì)量  

        Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

        •   Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。   新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:   1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍      2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率   3. 在免授權的5.8G
        • 關鍵字: 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

        研究人員公布低成本GaN功率器件重大進展

        •   研究人員介紹,他們第一次在200mm硅(111)晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量,并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延(MOVPE)反應腔中生長的。???????   “對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說,在200mm硅晶圓上生長出
        • 關鍵字: 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

        如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

        •   要預測客戶對一款手機性能的接受程度,從而預測手機設計的品質(zhì),需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具,本文將介紹如何進行此類測試。   UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術,UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng),之后被3
        • 關鍵字: 移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  

        中國首臺具有自主知識產(chǎn)權MOCVD設備問世

        •   由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破,我國首臺具有自主知識產(chǎn)權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。      該設備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備,目前國內(nèi)半導體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設備全部依賴進口。在此之前,杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
        • 關鍵字: 青島杰生電氣  MOCVD  LED  LD  GaN  

        探討基于SiC集成技術的生物電信號采集方案

        •   人體信息監(jiān)控是一個新興的領域,人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術,它的開發(fā)重點是進一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術、無線通信技術和能量提取技術整合起來,在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層,這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。   
        • 關鍵字: SiC  EEG  生物電信號采集  IMEC  

        藍色激光的應用

        車載SiC功率半導體前景光明 逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化

        •   豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中,談到了對應用于車載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中,“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體,將有助于逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化。   在汽車領域的應用是許多SiC半導體廠商瞄準的目標,但多數(shù)看法認為,就元器件的成本、性能及可靠性而言,比起在產(chǎn)業(yè)設備以及民用設備上配備,在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計劃采用SiC半導體的日期,但表示“到本世紀10年代前
        • 關鍵字: 汽車電子  豐田  SiC  半導體  汽車電子  

        京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術

        •    京都大學、東京電子、羅姆等宣布,使用“量產(chǎn)型SiC(碳化硅)外延膜生長試制裝置”,確立對SiC晶圓進行大批量統(tǒng)一處理的技術已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導熱系數(shù)等特征的功率半導體朝著實用化邁出了一大步。目前,三家已經(jīng)開始使用該裝置進行功率半導體的試制,面向混合動力車的馬達控制用半導體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途,“各廠商供應工程樣品,并獲得了好評”。      此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產(chǎn)技術。
        • 關鍵字: 消費電子  京大  SiC  外延膜  消費電子  
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