Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優(yōu)勢，得以實現卓越的熱性能表現。這些器件在電池儲能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機驅動器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應用場景中表現卓越。此外，在包括充電樁在內的電動汽車充電基礎設施領域同樣能發(fā)揮出眾效能。

X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實現從外殼頂部高效散熱。這一設計有效降低了通過PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動化電路板封裝流程。

新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質因數(FoM)。其中，RDS(on)作為關鍵參數，對導通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關注該參數（常溫）的標稱值，卻忽略了一個事實，即隨著器件工作溫度的升高，標稱值可能會增加100%以上，從而造成相當大的導通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現出出色的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。

Nexperia SiC分立器件和模塊資深總監(jiān)兼負責人Katrin Feurle表示：“我們推出采用X.PAK封裝的SiC MOSFET，標志著在高功率應用散熱管理與功率密度方面取得重要突破。基于此前成功推出的TO-247和SMD D2PAK-7封裝分立式SiC MOSFET器件，我們研發(fā)了這款新型頂部散熱的產品方案。這充分彰顯了Nexperia致力于為客戶提供先進、靈活的產品組合，以滿足其不斷進化的設計需求的堅定承諾。”

首批產品組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號（NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0），并計劃于2025年4月推出一款17mΩ產品。2025年后續(xù)還將推出符合汽車標準的X.PAK封裝SiC MOSFET產品系列，以及80 mΩ等更多RDson等級的產品。