東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
關鍵字：
東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
中國功率芯片開發商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰。法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發展為標志，以匹配 Global Power Technology的專利數量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結構的設計。第一季度授予了 420 多個
關鍵字：
東芝 SiC 專利申請 泰科天潤
美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投，技術合作伙伴 GlobalFoundries 戰略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術為中心的創新者轉變為產品驅動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012
關鍵字：
Finwave 短期投資 GaN FinFET
在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執行官需要面臨更為嚴峻的現金危機。作為車用碳化硅行業的領導廠商，Wolfspeed近年來投入數十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經濟低迷和關稅前景的打擊陷入持續虧損中，現在公司轉向提供AI數據中心電源以促進增長，不過該公司正在尋求第11章法規的債權保護。“作為我們貸方談判的一部分，我們可能會選擇在法庭內或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執行官的羅伯特·費爾 （Robert Feurle） 說。據報道，資產管理公
關鍵字：
CHIPS Wolfspeed SiC
傳統方法的局限性多年來，工程師們一直致力于解決單向開關的基本限制。當需要雙向電壓阻斷時，設計人員必須使用多個分立元件實現背靠背配置，導致系統復雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會引入額外的寄生元件，從而影響開關性能和效率。此外，傳統的三端 UDS 設備無法獨立控制雙向電流流，限制了它們在高級電源轉換拓撲中的應用。 圖片由 Adobe Stock 提供 隨著行業向更高功率密度、更高效率和更低系統成本發展，這些挑戰變得越來越重要。傳統的使用背靠背分立開關的方法，在
關鍵字：
Gan 電源開關
在新能源汽車技術的演進歷程中，碳化硅（SiC）技術已成為推動行業發展的關鍵力量。作為第三代半導體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優勢，已深度融入新能源汽車的核心系統，開啟了新能源汽車性能提升與技術創新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動到混合動力，SiC 技術的應用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實現批量上車，重塑新能源汽車的技術格局與市場競爭態勢。碳化硅實現多價格區間車型覆蓋SiC 技術已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區間的車型
關鍵字：
SiC
TrendForce最新研究，2024年汽車、工業需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產品價格大幅下跌，導致2024年全球N-type（導電型）SiC基板產業營收年減9%，為10.4億美元。進入2025年，即便SiC基板市場持續面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力，然而，長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導體元件技術不斷提升，未來SiC應用將更為廣泛，特別是在工業領域的多樣化。 同時，市場競爭激烈的環境下，加速企業整合，重新塑造產業發展格局。TrendForce分析各供應商營收
關鍵字：
SiC 襯底 TrendForce
全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
關鍵字：
羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽能
Infineon Technologies 開發了用于固態保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優化的 SiC JFET 在短路
關鍵字：
英飛凌 SiC JFET 固態配電
半導體行業正處于性能、效率和可靠性必須同步發展的階段。AI 基礎設施、電動汽車、電源轉換和通信系統的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來越受到關注，因為它可以滿足這些需求。該行業已經到了這樣一個地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規模地部署它。二十多年來，我專注于外延生長，見證了 GaN 從一種利基研究驅動型材料轉變為電力電子領域的領先競爭者。進展是穩定的，不是一蹴而就的。現在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統定位自己的公司。設備性能從外延開始對于 G
關鍵字：
GaN 可靠性 硅
高效率和高功率密度是為當今產品設計電源時的關鍵特性。為了實現這些目標，開發人員正在轉向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅動和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
關鍵字：
集成驅動器 高級保護 GaN 電源設計
引言人形機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統平穩運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統是伺服控制系統。為了實現與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
關鍵字：
GaN FET 人形機器人
ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
關鍵字：
SiC 功率器件 ROHM
4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據悉，該工廠自2024年投產以來，其碳化硅功率芯片在家用空調中的裝機量已經突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優勢，能夠顯著提升空調的能效。搭載SiC芯片后，空調的電能轉換效率得到優化，制冷制熱效果增強，實現能耗降低，同時可以提升產品性能、降低能耗，增強格力空調的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
關鍵字：
格力 家用空調 SiC
_____在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰展開深入交流。香港科技大學在氧化鎵研究領域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設計、性能優化和應用開發等多個方面。通過與國際科研機構和企業的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術的發展，也為相關領域的應用提供了重要的技術支持。黃文海教授的團隊主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長方面，聚焦優化晶體生長工藝，通過改進熔體生長技術，成
關鍵字：
香港科技大學 氧化鎵器件 GaN
gan+sic介紹
您好，目前還沒有人創建詞條gan+sic!
歡迎您創建該詞條，闡述對gan+sic的理解，并與今后在此搜索gan+sic的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473