- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優勢實現設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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德州儀器 600V氮化鎵（GaN）功率器件
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型。 ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC
MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
- 2019年3月14日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON
Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer
Studio?
開發平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心。 Strata Developer
S
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安森美 SiC
- Mar. 7, 2019 ----
全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業，2019年
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IGBT SiC
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI)
(以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm
硅基GaN的產能，200mm硅基GaN按需擴產。該擴產計劃旨在支持全球5G電信網建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協議。 隨著全球推出5G網絡并轉向大規模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產品需求預計
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MACOM GaN
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC)
MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動器、電焊機和電源。 SIC1182K可在125°C結溫下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
- 介紹了SiC的市場動向，SiC市場不斷擴大的原因，SiC技術及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點。
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SiC 市場 應用 汽車 201903
- 全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)
宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA)
產品組合。該寬帶PA模塊經過優化改良，適用于陸地移動無線電系統(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰術通信和電子對抗 (ECM)
領域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、
兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安
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MACOM GaN
- 意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協議，收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來，開發和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈，并為自己帶來一個重要的增長機會。
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ST Norstel SiC
- 目前，氮化鎵(GaN)技術已經不再局限于功率應用，其優勢也在向射頻/微波行業應用的各個角落滲透，而且對射頻/微波行業的影響越來越大，不容小覷。因為它可以實現從太空、軍用雷達到蜂窩通信的應用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發展歷程令人矚目，隨著5G時代的到來，它可能會更加引人關注。
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GaN RF
- 目前射頻前端元器件基本均由半導體工藝制備，如手機端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業內人士認為，GaN技術的運用將能為PA帶來高效低功耗的優勢。
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射頻 GaN
- 今年整個產業在技術上也是節節攀升，2018年可以說是產業高速發展的一年，全球電子產業也產生了眾多技術突破。
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芯片，GaN
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。 然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。 實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
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半導體 SiC GaN
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷
600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產品技術聯合實驗室。北汽新能源執行副總經理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場簽署了合作協議書，并共同為SiC產品技術聯合試驗室揭牌。 該聯合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產品進行全面合作開發。 近年來，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經被廣泛應用在新能源
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北汽新能源 羅姆半導體 SiC
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