- 在我國綠色能源產業發展的推動下，功率半導體已經成為建設節約型社會、促進國民經濟發展、踐行創新驅動發展戰略的重要支撐。
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功率半導體 GaN
- 如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現對電能的高效產生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產業轉型升級的整體方向與發展規劃，在此過程中，功率半導體發揮的作用不可替代。
然而，與集成電路產業相似，我國功率半導體產業的發展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節能減排”、“開發綠色
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功率半導體 GaN
- 充電和電池管理對智能手機來說，仍是關鍵的功能，未來多年將持續有創新。有線和無線充電的改進可能大大擴展便攜式產品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統要求供電產品(如壁式適配器)或無線充電發射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設計都具高能效。安森美半導體專注于這兩大應用，提供完整、優化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產品的功率要求。 市場對于更快充電時間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統半導體器件不可行的地步。新一代系統將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統M
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安森美 GaN
- 1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- MACOM GaN在無線基站中的應用 用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統性能和運營成本產生深遠的影響。氮化鎵顯而易見的技術優勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司
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GaN MACOM
- 第一代半導體材料是元素半導體的天下，第一代半導體材料是化合物半導體材料，然而隨著半導體器件應用領域的不斷擴大，特別是特殊場合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環境下依然堅挺，第一、二代半導體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
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寬禁帶半導體 SiC
- 有鑒于全球環保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發優勢，其功率模組在再生能源與車用電子領域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。
可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。
臺達電技術長暨總
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SiC GaN
- 松下被動元件展區，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產品市場經理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流。 ZK和ZC產品在125C下可工作4000小時。三種類型產品都有更低的ESR(等效串聯電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合。 松下集團汽車&工業系統公司介紹了其網上工具--LC Simulator，可加速
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松下 X-GaN
- ROHM新聞發布會上，首先宣布最新的第三代SiC技術，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個溫度范圍內減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器。 ROHM的德國發言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
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ROHM SiC
- 技術創新是推動產業發展的永恒動力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料憑借著其優異的特性得到了世界各國的高度重視，從國際競爭角度看，美、日、歐等發達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，并展開全面戰略部署，欲搶占戰略制高點。
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半導體 SiC
- 實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統應用而言甚為關鍵。
該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關模型的制造工藝采用了業內獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過K頻段應用提供頻率更
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Qorvo GaN
- 2010年，供應商發布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
- 功耗是當今電子設計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應用。在經過30年的發展之后，硅MOSFET發
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GaN 測試
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