7月9日，深圳基本半導體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導體和深圳市投控基石新能源汽車產業私募股權投資基金合伙企業（有限合伙）共同注資。此舉標志著基本半導體在車規級碳化硅領域的戰略布局又邁出重要一步，為后續研發創新和產能擴充奠定堅實基礎。戰略資本加持 助力新能源汽車產業發展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產業基金的戰略支持，是對基本半導體在新能源汽車功率器件領域技術積累和市場優勢的充分認可。該基金是
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基本半導體 碳化硅 車規級
NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5
A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。
NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
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onsemi NCP51752 隔離式 SiC MOSFET 閘極驅動器 評估板
瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 GaN 技術的持續投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質因數提高了 50%，而輸出品質因數提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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650V GaN 器件 高功率應用 SiC
在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關注較少，但它們仍是幫助系統高效運行的關鍵組成部分。提高系統可靠性、減小系統尺寸以及縮減系統成本，同時最大限度地降低風險并支持多源采購——設計人員不斷面臨這些經常相互矛盾的挑戰。Wolfspeed 推出的工業級 C3M0900170x 和獲得車規級認證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產品系列，可在 20 至 200 W 范圍內增強輔助電源的
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Wolfspeed MOSFET 輔助電源系統
6月25日，香港特區政府創新科技局轄下創新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設施。項目總預算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產業加速計劃」資助。這筆資金預計將大大提升香港的先進半導體制造能力，并加速其在寬禁帶半導體領域的發展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運營，同時
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香港 8英寸 SiC 晶圓廠
在減少排放和實現凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續發展應用中發揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統中添加電力電子器件（例如電機驅動器）或增強現有系統中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成電氣系統，對電路保護的需求至關重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設計人員正在實施更強大的電路保護方法。僅限于保護線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護線路并限制傳輸到故障負載的短路允通電流和能量，從而可以防止負載自身損壞。傳統電路
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SiC 熔絲保護
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理
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安森美 SiC Combo JFET
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理高
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SiC Combo JFET 安森美
之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產品特點及導通特性 （參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述 ， CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析 ） ，今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了R DS(on) ，開關損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工
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英飛凌 MOSFET
近日，深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）宣布完成D輪融資，融資金額達1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發區科創產業母基金與中山金控聯合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術研發、產能擴張以及市場拓展。基本半導體成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發與制造的高新技術企業。其核心產品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產品以低損耗、高頻率等優勢，廣泛應用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領
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基本半導體 碳化硅
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯合開發的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆希科
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羅姆 SiC MOSFET 豐田 純電車型
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯還可以降低開關能耗，改善導熱性能。考慮到熱效應對導通損耗的影響，并聯功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯， 因為參數差異會影響均流特性。本文
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意法半導體 SiC MOSFET
就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標簽，市場利好，一片光明。好景沒有一直延續下去。「消息稱 2025 年中國 SiC 芯片價格將下降高達 30%」「SiC 價格跳水, 開啟下半場戰役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長 VS 產能狂飆根據預測 2025 年全球 SiC 襯底產能預計達 400 萬片，需求預測僅 250 萬片。從需求側來看
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SiC
據路透社援引彭博社報道，在關于即將破產的傳聞出現近一個月后，Wolfspeed 現在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據破產計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內公布一項預包裝破產計劃——旨在迅速削減數十億美元的債務。在鎖定重組協議后，Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票，然后正式申請第 11 章保護，報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據 TrendForce 的觀察，由于破產程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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碳化硅 意法半導體 功率器件
在功率半導體領域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優異的熱導率，被廣泛應用于新能源汽車、智能電網和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優化導通電阻（Ron），一直是行業亟待解決的難題。近日，復旦大學研究團隊在這一領域取得重要突破。據復旦大學研究團隊透露，他們基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優化，成功設計并制備出正交結構和平行結構兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實驗數據顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
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復旦大學 SiC MOSFET器件
碳化硅(sic)mosfet介紹
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