移動應用、基礎設施與航空航天應用RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼：QRVO)憑借行業首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN)
前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴大了其 5G 業務范圍。在基站設備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM
可以幫助他們降低總體系統成本。 據 SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運營商能夠滿足
5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
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QORVO GAN
羅姆（ROHM）作為一個日本企業，很早便打入歐洲市場，豐富的行業經驗、值得信賴的產品品質和口碑讓歐洲本土企業成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
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ROHM SiC 羅姆
在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。 我們幾個人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉換器產生的熱量。我們已經將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個探討過程中，我們盤點了一系列在高壓環境中失敗的設備。 在那個雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓撲，以尋求獲得更高的效率和密度，當然也要找到改進健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
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德州儀器 GaN
摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL
JU和ESI協同為該項目提供資金支持，實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補的研發活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia
Micro e Nano
Sistemi)牽頭，20個項目合作方將在技術研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開為期36個月的開發合作。本文將討論本項目中與汽車相關的內容，重點介紹有關SiC技術和封
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SiC WInSiC4AP
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。 硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸規格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網絡，以及未來的機器人、可再生能源直至數據中心技術，功率都是一個至關重要的因素。 “工程師現在處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現有空間內繼續提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產品經理Masoud Behe
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GaN，機器人
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現業界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調查數據) 近年來，由于SiC產品的節能效果優異，以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發展，系統呈高電壓化發展趨勢，1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而，受
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ROHM SiC
當今的半導體行業正在經歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前，業內有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場，如今這種局面已被全新的市場格局所取代 - 有多個新興市場出現，多家硅谷公司與傳統芯片制造商進行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動著市場格局不斷變化? 哪些因素在推動變革? 半導體行業格局的變化從根本上由兩個要求驅動：對無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個位置，無論在家中還是在工作場所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場不再僅僅滿足蜂窩手
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射頻半導體 GaN
全球知名半導體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時，將以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，展示羅姆在汽車電子和工業設備等領域的豐富產品與解決方案，以及模擬技術和功率元器件等技術亮點。同時，將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機驅動、DC/DC轉換器技術、傳感器技術以及旗下藍碧石半導體的先進技術等主題，由羅姆的工程師帶來六場技術專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現場，與羅姆的技術專家進行面對面的交流和切磋
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ROHM SiC
10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創新中心聯合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行。 本屆高峰論壇和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟達成戰略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業領袖同臺論劍，給現場觀眾帶來了一場第三代半導體產業的盛宴。 立足國際產業發展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發展的現狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰，以及面向未來的戰略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
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基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設計人員能夠創建更小、更高效和更高性能的設計。 德州儀器的GaN FET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現簡化設計，達到更高的系統可靠性和優化高壓電源的性能，為傳統級聯和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
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德州儀器 GaN
SiC和GaN MOSFET技術的出現，正推動著功率電子行業發生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉換系統的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的。 在現實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現，既能實現低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開關頻率，使得這些新技術既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。 比如一名設計工程師正在開發功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動控制器，或者正在設
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SiC GaN
高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產業化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰略合作伙伴關系，將共同開展研發項目，推動碳化硅功率器件在工業各領域尤其是新能源汽車領域實現廣泛應用。 CISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業，也是支撐高端制造業的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導體解決方案的領導者，專為極端溫
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CISSOID SiC
納微(Navitas)半導體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術及應用會議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會上，納微將發布并展示GaNFast功率IC的重大發展成果，這些進展推動業界實現的新一代電源系統，將會打造能效、功率密度和快速充電的全新基準。 這些技術發展成果從27W到300W，包括用于智能手機、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應用。納微將展示客戶
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GaN 電源 IC
碳化硅(SiC)功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業的發展具有重要意義。作為最先實現產業化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動態性能，基本半導體自主研發的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優越性能廣受市場追捧。 SiC JBS產品優勢 作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個數量級。更重
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基本半導體 SiC
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關器件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體能夠滿足高能效、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務器。 本合作項目的重點是開發和檢測在200mm晶片上制造的先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構。研究公司IHS認為，該市場將在2019年至2024[1]年有超過2
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意法半導體 GaN
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