使用單光子作為量子位的載體可以在量子數據傳輸期間實現可靠的安全性。研究人員發現，目前可以通過某現有材料建立一個系統，能在常溫條件下可靠地產生單光子。
來自莫斯科物理技術學院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導體材料的單光子發射二極管，每秒可以發射多達數十億個光子。研究人員進一步表明，SiC色心的電致發光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數據傳輸速率提高到1Gbps以上。
量子密碼術與傳統的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
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SiC 量子通信
相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。根據估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
此外，除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，兩者對于電動車續航力的提升有相當的幫助。因此，
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SiC GaN
全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"。 “慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領先的電子行業展覽，還是行業內最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業設備”為軸，為大家呈現包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設備”在內的5大解決方案展區，囊括了業界領先的強大產品陣容。另外，為此
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ROHM SiC
日前，《麻省理工科技評論》刊文評出了2018年十大突破性技術，“對抗性神經網絡”(GAN)赫然在列。
什么是對抗性神經網絡?為什么它能入選MIT十大突破性技術?它的發展脈絡如何?與我們此前耳熟能詳的神經網絡有什么區別?能夠應用在人工智能的哪些場景?還有哪些關鍵問題有待攻克?
中國自動化學會混合智能專委會副主任、中國人工智能學會機器學習專委會常委、復旦大學博士生導師張軍平教授在接受科技日報記者采訪時做了深入淺出的解釋。
故事中的GAN
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對抗性神經網絡 GAN
什么是對抗性神經網絡?為什么它能入選MIT十大突破性技術?它的發展脈絡如何?與我們此前耳熟能詳的神經網絡有什么區別?能夠應用在人工智能的哪些場景?還有哪些關鍵問題有待攻克?
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AI GAN
超密集組網通過增加基站部署密度，可實現頻率復用效率的巨大提升，并且帶來可觀的容量增長，未來隨著基站數量的增加，基站內射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預測，射頻前端的市場規模預估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預測，全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。
Qorvo亞太區FAE高級經理楊嘉
有業內分析師就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時，GaAs也將從小型基站網絡的需求增長中受益。Qorvo亞太區FA
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GaN 5G
慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數萬名電子行業的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯網、汽車、微波通信、功率電子、工業控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產品及方案亮相。 憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業物聯網、無線充電與快充、工業4.0、人工智能、樓宇照明、智能網聯汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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SiC GaN
2018年3月6日，Nexperia(安世半導體)公司廣東分立器件封裝和測試新工廠正式投產，該工廠將重點解決產能問題，用于支持Nexperia后續業務發展規劃。
【安世半導體(中國)有限公司廣東后道工廠】
據Nexperia首席運營官Sean Hunkler介紹，新工廠投產之后，Nexperia全年總產量將超過1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外，還提供安世半導體(中國)有限公司開發的最新封裝，包括
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安世 GaN
據麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關鍵行業的應用，化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網絡協議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現實和虛擬現實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發展背后的關鍵器件都是由化合物半導體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。
我們
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5G SiC
德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡追蹤等速度關鍵應用中實現更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現以往硅MOSFET無法實現的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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TI GaN
Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時減少創建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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ADI SiC
《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術”，這份全球新興科技領域的權威榜單至今已經有 17 年的歷史。
1、給所有人的人工智能 AI for everyone
入選理由：將機器學習工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播
重大意義：目前，人工智能的應用是受到少數幾家公司統治的。但其一旦與云技術相結合，那它將可以對許多人變得觸手可及，從而實現經濟的爆發式增長。
主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
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機器學習 GAN
推動高能效創新的安森美半導體?(ON?Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗，并輕松實現器件并聯。 安森美半導體最新發布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪涌容
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安森美 SiC
一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產品。
“不會游泳的時候就跳下了水”
蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發，逐步研發成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化鎵
納微 (Navitas)半導體宣布其現場應用及技術營銷總監黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業內首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業知識。 黃萬年
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納微 SiC
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